公开(公告)号：CN117980304A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280063857.0

申请日：2022-10-26

Applicant: 保土谷化学工业株式会社

Inventor： 加濑幸喜 ,  梁炳善 ,  黄文濽 ,  泉田淳一 ,  平山雄太 ,  林秀一

IPC: C07D413/14 ,  C07D413/12 ,  C07D417/12 ,  C07D417/14 ,  H05B33/02 ,  H10K50/00

Abstract: 本发明的目的在于为了防止有机EL元件的元件内部的劣化、大幅地改善光取出效率，提供吸收太阳光的波长400nm至410nm的光、不对元件内部的材料造成影响、在波长450nm至750nm的范围的折射率高的化合物。本发明为折射率高的具有特定的苯并唑环结构的胺化合物。通过使用本发明的化合物作为封盖层的构成材料，从而得到发光效率优异的有机EL元件。

公开(公告)号：CN117715901A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280051936.X

申请日：2022-09-20

Applicant: 保土谷化学工业株式会社

Inventor： 加濑幸喜 ,  千叶绘里子 ,  梁炳善 ,  黄文濽 ,  平山雄太 ,  林秀一

IPC: C07D401/10

Abstract: 本发明的目的在于提供适合作为有机EL元件的封盖层的材料的、波长450nm～750nm的范围的折射率高、消光系数低的化合物。另外，提供通过使用上述化合物从而改进了光取出效率的有机EL元件。本发明为由下述通式(1)或(2)表示的化合物。式中，A表示取代或未取代的芳族烃基等，B和C可彼此相同也可不同，表示未取代的萘基或未取代的喹啉基等，L可彼此相同也可不同，表示单键或者取代或未取代的2价的芳族烃基等。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117279921A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280033732.3

申请日：2022-06-13

Applicant: 保土谷化学工业株式会社

Inventor： 加瀬幸喜 ,  千叶绘里子 ,  梁炳善 ,  黄文濽 ,  平山雄太 ,  林秀一

IPC: C07D498/04

Abstract: 本发明的目的在于，为了防止有机EL元件的元件内部的劣化、大幅改善光取出效率，提供吸收太阳光的波长400nm～410nm的光而不对元件内部的材料造成影响、波长450nm～750nm这一范围的折射率高的化合物。本发明是折射率高且具有特定苯并唑环结构的胺化合物。在至少依次具有阳极电极、空穴输送层、发光层、电子输送层、阴极电极和覆盖层的有机EL元件中，前述覆盖层优选含有本发明的具有特定苯并唑环结构的胺化合物。

公开(公告)号：CN118475576A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202380015825.8

申请日：2023-01-12

Applicant: 保土谷化学工业株式会社

Inventor： 加濑幸喜 ,  平井大贵 ,  黄文濽 ,  平山雄太 ,  林秀一

IPC: C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  H05B33/02 ,  H10K50/00 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16

Abstract: 本发明的目的在于提供适合作为有机EL元件的封盖层的材料的、波长450nm～750nm的范围中的折射率高、消光系数低的化合物。另外，在于提供通过使用上述化合物从而改善了光的取出效率的有机EL元件。本发明为由下述通式(1)表示的嘧啶化合物。(式(1)中，Ar1～Ar3可各自彼此相同也可不同，表示取代或未取代的芳族烃基、或者取代或未取代的芳族杂环基等，L1～L3可各自彼此相同也可不同，表示单键、或者取代或未取代的二价的芳族烃基等，p、q和r可各自彼此相同也可不同，表示1～2的整数。其中，Ar1～Ar3中至少一个为取代或未取代的苯并噁唑基等芳族杂环基。)#imgabs0#