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公开(公告)号：CN115885022A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180050636.5
申请日：2021-08-13
Applicant: 保土谷化学工业株式会社 , SFC有限公司
IPC: C09K11/06
Abstract: 本发明的课题在于，提供空穴的注入/输送性能、电子阻挡能力、薄膜状态下的稳定性、耐久性优异的用于有机EL元件的材料，进而，其课题在于，通过将该材料与空穴和电子的注入/输送性能、电子阻挡能力、薄膜状态下的稳定性、耐久性优异的用于有机EL元件的各种材料以能够有效地发挥出各种材料所具有的特性的方式加以组合，从而提供高效率、低驱动电压、长寿命的有机EL元件。着眼于具有特定结构的三芳基胺化合物的空穴的注入/输送能力、薄膜的稳定性和耐久性优异这一点，选择特定的芳基胺化合物作为构成第二空穴输送层的材料来制作有机EL元件，从而完成了本发明。
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公开(公告)号：CN118786121A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380021496.8
申请日：2023-02-16
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供作为高效率、高耐久性有机电致发光器件用材料的有机化合物以及利用该化合物的高效率、高耐久性有机电致发光器件，该化合物所具备的优异特性为空穴注入和传输性能优异、具有电子阻挡能力、在薄膜状态下稳定性高。本发明的芳基胺化合物具有优异的耐热性以及良好的空穴传输能力。在有机电致发光器件的空穴传输层、电子阻挡层、发光层及空穴注入层中使用该化合物得到的有机电致发光器件表现出良好的器件特性。
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公开(公告)号：CN117337283A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202180014275.9
申请日：2021-02-25
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D307/93
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种具有空穴注入/传输性能优异、具有电子阻挡能力、薄膜状态下的稳定性高的优异特性的有机化合物作为高效率、高耐久性的有机EL元件用材料，进而使用该化合物提供高效率、高耐久性的有机EL元件。本发明为具有含芴基骨架的杂环结构的芳基胺化合物，其耐热性优异且具有良好的空穴传输能力。在有机EL元件的空穴传输层、电子阻挡层、发光层及空穴注入层中使用了该化合物的有机EL元件显示出良好的元件特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119968354A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380069649.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07C211/54 , H10K50/10 , H10K50/15
Abstract: 下述通式所表示的化合物具有优异的空穴传输能力和电子阻挡能力。A、R1、R2表示1价的芳香族烃基等，B及C表示亚萘基，L1～L3表示单键或2价的芳香族烃基等。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116530232A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180074817.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 保土谷化学工业株式会社 , SFC有限公司
Abstract: 有机电致发光元件，其为至少依次具有阳极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、蓝色发光层、电子传输层和阴极的有机电致发光元件，所述第二空穴传输层含有由下述通式(1)所表示的芳基胺化合物。[化1]
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公开(公告)号：CN111670506A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201980010035.4
申请日：2019-02-13
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: H01L51/50
Abstract: 一种有机EL元件，依次具有至少阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，其中，所述空穴传输层含有由下述通式(1a)或(1b)表示的茚并菲化合物。
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公开(公告)号：CN119677719A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380059015.2
申请日：2023-08-11
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D209/86 , C07D307/91 , C09K11/06 , H05B33/14 , H10K50/10
Abstract: 本发明的目的是提供作为具有高效率和高耐久性的有机电致发光(EL)元件的材料、具有优异的空穴注入/传输性能、具有电子阻挡能力、在薄膜状态下具有高稳定性的由下述通式(I)表示的有机化合物，并且通过使用该化合物提供具有高效率和高耐久性的有机EL元件。在该式中，A表示经取代或未经取代的芳族烃基、经取代或未经取代的芳族杂环基、或经取代或未经取代的缩合多环芳基，B表示经取代或未经取代的咔唑基，C表示未经取代的亚萘基，R表示未经取代的芳族烃基、未经取代的芳族杂环基、或未经取代的缩合多环芳基，L1～L3表示单键、未经取代的2价芳族烃基、未经取代的2价芳族杂环基、或未经取代的2价缩合多环芳基。本发明的芳胺化合物具有优良的耐热性，也具有良好的空穴传输能力。在有机EL元件的空穴传输层、电子阻挡层、发光层和空穴注入层中使用该化合物的有机EL元件表现出良好的元件性能。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117598046A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280046684.1
申请日：2022-08-01
Applicant: 保土谷化学工业株式会社 , SFC有限公司
Abstract: 本发明的课题在于，提供空穴的注入/输送性能、电子阻挡能力、薄膜状态下的稳定性、耐久性优异的有机EL元件用材料，进而，通过将该材料与空穴和电子的注入/输送性能、电子阻挡能力、薄膜状态下的稳定性、耐久性优异的有机EL元件用的各种材料以能够有效发挥出各种材料所具有的特性的方式加以组合，从而提供高效率、低驱动电压、长寿命的有机EL元件。着眼于具有特定结构的三芳基胺化合物的空穴的注入/输送能力、薄膜的稳定性和耐久性优异这一点，选择特定的芳基胺化合物作为构成空穴输送层的材料来制作有机EL元件，从而完成了本发明。
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