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公开(公告)号:CN102164923A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN200980137584.4
申请日:2009-09-18
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D471/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/5048 , H01L51/5092 , H05B33/14
Abstract: 提供一种有机化合物,其显示优异的电子注入/输送性能、具有空穴阻止能力并且显示以膜的形式的高稳定性,即,具有作为用于具有高效率和高耐久性的有机电致发光器件材料的优异特性。还提供一种使用所述化合物的具有高效率和高耐久性的有机电致发光器件。一种由通式(1)表示的化合物,其具有取代的蒽环结构和吡啶并吲哚环结构;一种有机电致发光器件,其包括设置在一对电极之间的一层或多层有机层,其中所述至少一层有机层包含前述化合物。
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公开(公告)号:CN102164923B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN200980137584.4
申请日:2009-09-18
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D471/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/5048 , H01L51/5092 , H05B33/14
Abstract: 提供一种有机化合物,其显示优异的电子注入/输送性能、具有空穴阻止能力并且显示以膜的形式的高稳定性,即,具有作为用于具有高效率和高耐久性的有机电致发光器件材料的优异特性。还提供一种使用所述化合物的具有高效率和高耐久性的有机电致发光器件。一种由通式(1)表示的化合物,其具有取代的蒽环结构和吡啶并吲哚环结构;一种有机电致发光器件,其包括设置在一对电极之间的一层或多层有机层,其中所述至少一层有机层包含前述化合物。
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公开(公告)号:CN103384671A
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201280009985.3
申请日:2012-02-14
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D487/04 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: H01L51/006 , C07D487/04 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/5056 , H05B33/10
Abstract: 这些具有吲哚并咔唑环结构的化合物由式(1)表示,并且用作形成高效率的和高耐久性的有机电致发光器件的材料,在空穴注入方面优异并具有优异的输送性能,具有阻挡电子的能力并在薄膜状态中是高度稳定的。[式1]在所述式中,A为二价芳族烃基或芳族杂环基;Ar1至Ar4各自为单价芳族烃基或芳族杂环基;R1至R9各自为氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基、环烷氧基、芳族烃基、芳族杂环基或芳氧基。
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公开(公告)号:CN102015703B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN200980104982.6
申请日:2009-02-13
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D471/04 , C07D519/00 , H01L51/50
CPC classification number: C07D471/04 , C07D519/00 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/5048
Abstract: 公开了由通式(1)表示的化合物,其具有与取代的吡啶基键合的吡啶并吲哚环结构的化合物。还公开了含有该化合物的有机电致发光器件。该化合物电子注入/输送性能、空穴阻止性、以薄膜状态的稳定性优异,并且使得形成具有高效率和高耐久性的有机电致发光器件。[在式中,Ar表示取代的或未取代的芳香烃基等;R1至R3各自代表取代的或未取代的芳香杂环基等;R4至R11各自代表氢原子等;m和n各自代表1至3的整数;仅W、X、Y或Z中之一表示氮原子,并且其它表示氮原子。]
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公开(公告)号:CN102015703A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980104982.6
申请日:2009-02-13
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D471/04 , C07D519/00 , H01L51/50
CPC classification number: C07D471/04 , C07D519/00 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/5048
Abstract: 公开了由通式(1)表示的化合物,其具有与取代的吡啶基键合的吡啶并吲哚环结构的化合物。还公开了含有该化合物的有机电致发光器件。该化合物电子注入/输送性能、空穴阻止性、以薄膜状态的稳定性优异,并且使得形成具有高效率和高耐久性的有机电致发光器件。[在式中,Ar表示取代的或未取代的芳香烃基等;R1至R3各自代表取代的或未取代的芳香杂环基等;R4至R11各自代表氢原子等;m和n各自代表1至3的整数;仅W、X、Y或Z中之一表示氮原子,并且其它表示氮原子。]
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公开(公告)号:CN103384671B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201280009985.3
申请日:2012-02-14
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D487/04 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: H01L51/006 , C07D487/04 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/5056 , H05B33/10
Abstract: 这些具有吲哚并咔唑环结构的化合物由式(1)表示,并且用作形成高效率的和高耐久性的有机电致发光器件的材料,在空穴注入方面优异并具有优异的输送性能,具有阻挡电子的能力并在薄膜状态中是高度稳定的。[式1]在所述式中,A为二价芳族烃基或芳族杂环基;Ar1至Ar4各自为单价芳族烃基或芳族杂环基;R1至R9各自为氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基、环烷氧基、芳族烃基、芳族杂环基或芳氧基。
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公开(公告)号:CN101932581B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200980103718.0
申请日:2009-01-30
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D471/04 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H01L51/5048
Abstract: 本发明公开一种由通式(1)表示的化合物,该化合物具有通过亚苯基连接的取代的吡啶基和吡啶并吲哚环结构。还公开具有一对电极和夹置于所述电极之间的至少一层有机层的有机电致发光器件,其中所述至少一层有机层包含所述化合物。(在所述式中,Ar表示取代或未取代的芳族烃基、芳族杂环基或稠合多环芳基;R1至R14可以相同或不同,并且各自表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、具有1至6个碳原子的线性或支化烷基,或者取代或未取代的芳族烃基、芳族杂环基或稠合多环芳基;n表示1至3的整数;W、X、Y和Z分别表示碳原子或氮原子。在此方面,W、X、Y和Z中仅之一表示氮原子时,所述氮原子不具有取代基R7、R8、R9或R10)。
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公开(公告)号:CN102958915A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201180032343.0
申请日:2011-06-30
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D209/86 , C07D401/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C07D401/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , H01L51/5056
Abstract: 本发明提供一种有机化合物,其具有以下优异特性:空穴注入-传输性能优异,具有高三重态激子限制能力,具有电子阻挡能力,在薄膜状态下的稳定性高、发光效率高;进而提供一种使用了该化合物的高效率、高耐久性的有机电致发光器件,特别是磷光发光有机电致发光器件。本发明为一种下述通式所示的具有咔唑环结构的化合物;本发明为一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件具有一对电极和其间夹持的至少一层有机层,其特征在于,该化合物被用作至少一个有机层的构成材料。
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公开(公告)号:CN101932581A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN200980103718.0
申请日:2009-01-30
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D471/04 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H01L51/5048
Abstract: 公开一种由通式(1)表示的化合物,该化合物具有通过亚苯基连接的取代的吡啶基和吡啶并吲哚环结构。还公开具有一对电极和夹置于所述电极之间的至少一层有机层的有机电致发光器件,其中所述至少一层有机层包含所述化合物。(在所述式中,Ar表示取代或未取代的芳族烃基、芳族杂环基或稠合多环芳基;R1至R14可以相同或不同,并且各自表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、具有1至6个碳原子的线性或支化烷基,或者取代或未取代的芳族烃基、芳族杂环基或稠合多环芳基;n表示1至3的整数;W、X、Y和Z分别表示碳原子或氮原子。在此方面,W、X、Y和Z中仅之一表示氮原子时,所述氮原子不具有取代基R7、R8、R9或R10)。
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