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公开(公告)号:CN112154136B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN201980033912.X
申请日:2019-06-20
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07C211/54 , C07C211/61 , H10K50/15 , H10K50/18 , H10K50/11 , H10K85/60
Abstract: 本发明的目的在于提供空穴注入·传输性能优异、具有电子阻挡能力、具有薄膜状态下的稳定性高的优异的特性的有机化合物,进而使用该化合物而提供高效率、高耐久性的有机EL元件。本发明为由下述结构式(A‑1)表示的、具有三芳基胺结构的化合物。(式中,A、B及C可相互相同也可不同,表示由下述结构式(B‑1)表示的基团、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。但是,A、B及C中的至少一个不为由下述结构式(B‑1)表示的基团。)(式中的符号等参照说明书中的记载。)#imgabs0#
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公开(公告)号:CN116507612A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202180080236.9
申请日:2021-12-02
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07D401/14
Abstract: 本发明的目的在于,为了改善有机EL元件的光的取出效率,提供封盖层中的波长450nm~750nm的范围的折射率高的化合物。本发明着眼于杂环化合物的薄膜的稳定性、耐久性优异,能够通过调整分子结构从而提高折射率,通过设计分子,用作构成封盖层的材料,从而得到发光效率优异的有机EL元件。
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公开(公告)号:CN112154136A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201980033912.X
申请日:2019-06-20
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
IPC: C07C211/54 , C07C211/61 , H01L51/50
Abstract: 本发明的目的在于提供空穴注入·传输性能优异、具有电子阻挡能力、具有薄膜状态下的稳定性高的优异的特性的有机化合物,进而使用该化合物而提供高效率、高耐久性的有机EL元件。本发明为由下述结构式(A‑1)表示的、具有三芳基胺结构的化合物。(式中,A、B及C可相互相同也可不同,表示由下述结构式(B‑1)表示的基团、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。但是,A、B及C中的至少一个不为由下述结构式(B‑1)表示的基团。)(式中的符号等参照说明书中的记载。)
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