公开(公告)号：CN107924094B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201680042605.4

申请日：2016-07-21

申请人： 俄勒冈州立大学 ,  非结晶公司

发明人： E·威廉·科威尔三世 ,  约翰·纽顿

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 提供用于使用非晶态金属非线性电阻器作为用于面内切换液晶显示器子像素的有源器件的电路的物理布局。两个非晶态金属非线性电阻器的下部互连和存储电容器的下部电极可以被同时地沉降和图案化。存储电容器的区域可以由数据信号互连和存储电容器下部电极的重叠来定义，其通过下部电极的尺寸和/或数据信号互连的尺寸来轻易地修改，其中其与下部电极重叠并且不对像素的孔径比进行降级。描述了子像素电路的两个实施方式。使用扫描线桥的一个支持图像数据的全点反转的使用。第二个仅允许图像数据的行反转。

公开(公告)号：CN107924094A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680042605.4

申请日：2016-07-21

申请人： 俄勒冈州立大学 ,  非结晶公司

发明人： E·威廉·科威尔三世 ,  约翰·纽顿

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 提供用于使用非晶态金属非线性电阻器作为用于面内切换液晶显示器子像素的有源器件的电路的物理布局。两个非晶态金属非线性电阻器的下部互连和存储电容器的下部电极可以被同时地沉降和图案化。存储电容器的区域可以由数据信号互连和存储电容器下部电极的重叠来定义，其通过下部电极的尺寸和/或数据信号互连的尺寸来轻易地修改，其中其与下部电极重叠并且不对像素的孔径比进行降级。描述了子像素电路的两个实施方式。使用扫描线桥的一个支持图像数据的全点反转的使用。第二个仅允许图像数据的行反转。