公开(公告)号：CN103154828A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048708.9

申请日：2011-10-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 黛博志 ,  谷口智士 ,  松田秀和 ,  高畑望 ,  八木泽勇介 ,  小出聪 ,  儿玉真隆

IPC: G03G15/02

CPC classification number: G03G15/0233 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/31663

Abstract: 提供以下电子照相设备的充电构件。所述充电构件抑制了长期实施图像形成时发生的条纹状图像、斑点状图像和粗糙图像的发生。还提供各具有所述充电构件的处理盒和电子照相设备。将在乙烯基聚合物的乙烯基或侧链上具有硅氧烷树状聚合物结构的化合物物引入至包含导电性基体和表面层的充电构件的表面层中。

公开(公告)号：CN119570362A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411241984.2

申请日：2024-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 桝本茜 ,  小崎祐辅 ,  上杉知也 ,  高畑望

IPC: C09D183/06 ,  A61B5/00 ,  C09D143/02

Abstract: 本发明涉及防污性构件、体外诊断设备用构件及防污性构件的生产方法。提供可以实现低蛋白质吸附性和耐久性二者的防污性构件。防污性构件具有形成在基材上的膜。该膜包含硅烷偶联剂的水解产物的缩合物或膦酸衍生物的缩合物。该膜不含卤素原子。该膜在pH为7的水中的zeta电位为‑10.0mV至10.0mV。防污性构件的B/A值为2.0～5.0，其中A表示在基材的XPS分析中C原子的量与以最大量包含在基材表面中的元素X的原子的量之比，并且B表示在基材上的膜的XPS分析中C原子的量与元素X的原子的量之比。

公开(公告)号：CN103154828B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180048708.9

申请日：2011-10-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 黛博志 ,  谷口智士 ,  松田秀和 ,  高畑望 ,  八木泽勇介 ,  小出聪 ,  儿玉真隆

IPC: G03G15/02

CPC classification number: G03G15/0233 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/31663

Abstract: 提供以下电子照相设备的充电构件。所述充电构件抑制了长期实施图像形成时发生的条纹状图像、斑点状图像和粗糙图像的发生。还提供各具有所述充电构件的处理盒和电子照相设备。将在乙烯基聚合物的乙烯基或侧链上具有硅氧烷树状聚合物结构的化合物物引入至包含导电性基体和表面层的充电构件的表面层中。