公开(公告)号：CN1146004C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN00121684.8

申请日：1996-04-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 高桥靖男 ,  三浦直子

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B05D5/12 ,  H01J9/027

Abstract: 一种用于制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件具有在衬底上的导电薄膜，导电薄膜包括电子发射区，其特征在于，电子发射区的形成过程包括：将含金属化含物的溶液液滴施加到衬底；施加含有含水树脂的溶液液滴。

公开(公告)号：CN1138210A

公开(公告)日：1996-12-18

申请号：CN96101935.2

申请日：1996-04-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 高桥靖男 ,  三浦直子

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  H01J31/10 ,  H01J29/46

CPC classification number: B05D5/12 ,  H01J9/027

Abstract: 一种制造电子发射器件的方法，该器件有导电膜，其上有电子发射区，其特征是电子发射区的形成步骤包括对衬底涂覆含金属化合物的材料和膜厚控制剂。制造电子源的方法，电子源包括衬底，其上有许多按照制造电子发射器件的方法制造的电子发射器件。制造图象形成装置的方法，图象形成装置包括衬底，排列在衬底上的由许多电子发射器件构成的电子源，以及图象形成件，其中电子发射器件按照制造电子发射器件的方法制造。

公开(公告)号：CN1118843C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN96101935.2

申请日：1996-04-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 高桥靖男 ,  三浦直子

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B05D5/12 ,  H01J9/027

Abstract: 一种制造电子发射器件的方法，该器件有导电膜，其上有电子发射区，其特征是形成包括所述电子发射区的所述导电薄膜的形成过程包括步骤：在衬底上涂覆含金属化合物的溶液；将含有分解金属化合物的成分的溶液的液滴施加到所述衬底。制造电子源的方法，电子源包括衬底，其上有许多按照上述方法制造的电子发射器件。制造图象形成装置的方法，图象形成装置包括衬底、排列在衬底上的由许多电子发射器件构成的电子源、以及图象形成件，其中电子发射器件按照上述方法制造。

公开(公告)号：CN1290953A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00121684.8

申请日：1996-04-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 高桥靖男 ,  三浦直子

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B05D5/12 ,  H01J9/027

Abstract: 一种用于制造电子发射器件的方法,所述电子发射器件具有在衬底上的导电薄膜,导电薄膜包括电子发射区,其特征在于,形成包括所述电子发射区的所述导电薄膜的形成过程包括步骤含金属化合物的溶液;将含有金属化合物和含水树脂的溶液的液滴施加到所述衬底。