公开(公告)号：CN110265413B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910181160.3

申请日：2019-03-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 铃木崇大 ,  田中芳荣 ,  丹下勉 ,  广田克范

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供摄像设备、摄像设备的制造方法以及装置。所述摄像设备包括基板和绝缘层，所述基板包括光电转换部，所述绝缘层被形成为覆盖所述光电转换部的至少一部分。所述绝缘层包含硅、氮和氯。在实施例中，在所述绝缘层的至少一部分中，在所述至少一部分中包含的硅原子中与一个、两个或三个氮原子键合并且不与氧原子键合的硅原子的比率不大于20％。

公开(公告)号：CN110265413A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910181160.3

申请日：2019-03-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 铃木崇大 ,  田中芳荣 ,  丹下勉 ,  广田克范

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供摄像设备、摄像设备的制造方法以及装置。所述摄像设备包括基板和绝缘层，所述基板包括光电转换部，所述绝缘层被形成为覆盖所述光电转换部的至少一部分。所述绝缘层包含硅、氮和氯。在实施例中，在所述绝缘层的至少一部分中，在所述至少一部分中包含的硅原子中与一个、两个或三个氮原子键合并且不与氧原子键合的硅原子的比率不大于20％。