公开(公告)号：CN108122939A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711219865.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 远藤信之 ,  楠川将司 ,  庄山敏弘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/42364 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14683

Abstract: 公开了半导体设备和用于制造半导体设备的方法。半导体设备具有：具有光电转换部分的硅层；设置在硅层上的传输部分的传输电极；传输部分传输光电转换部分的电荷；以及绝缘体膜，具有位于传输电极和硅层之间的第一部分以及位于光电转换部分上的第二部分，绝缘体膜的第一部分和第二部分包含氮、氧和硅，并且第二部分中氮浓度显示出最大值的位置和硅层之间的距离大于第一部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离。

公开(公告)号：CN104754254B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201410808890.9

申请日：2014-12-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 国米和夫 ,  大贯裕介 ,  成濑裕章 ,  楠川将司 ,  广田克范 ,  远藤信之 ,  山崎和男 ,  小林広明

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每个都是绝缘栅晶体管,并包括第种晶体管,所述第种晶体管具有要施加的等于或高于第值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每个是绝缘栅晶体管,并包括第二种晶体管,所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。

公开(公告)号：CN104754254A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410808890.9

申请日：2014-12-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 国米和夫 ,  大贯裕介 ,  成濑裕章 ,  楠川将司 ,  广田克范 ,  远藤信之 ,  山崎和男 ,  小林広明

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每一个都是绝缘栅晶体管，并包括第一种晶体管，所述第一种晶体管具有要施加的等于或高于第一值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个是绝缘栅晶体管，并包括第二种晶体管，所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第一值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。