公开(公告)号：CN102081313B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010566128.6

申请日：2010-11-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木诚 ,  大胁弘宪 ,  大山一成

IPC: G03G5/08 ,  G03G15/00 ,  G03G15/02

CPC classification number: G03G5/0433 ,  G03G5/0507 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/144

Abstract: 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件和包括该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件包括：导电性基体；在所述导电性基体上的光导电层；和在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅制成的表面层，其中在所述表面层中(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下，在所述表面层中Si+C原子密度为6.60×1022原子/cm3以上，和所述表面层的算术平均粗糙度Ra为0.029μm以上至0.500μm以下。

公开(公告)号：CN102081313A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010566128.6

申请日：2010-11-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木诚 ,  大胁弘宪 ,  大山一成

IPC: G03G5/08 ,  G03G15/00 ,  G03G15/02

CPC classification number: G03G5/0433 ,  G03G5/0507 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/144

Abstract: 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件和包括该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件包括：导电性基体；在所述导电性基体上的光导电层；和在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅制成的表面层，其中在所述表面层中(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下，在所述表面层中Si+C原子密度为6.60×1022原子/cm3以上，和所述表面层的算术平均粗糙度Ra为0.029μm以上至0.500μm以下。