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公开(公告)号:CN110382432A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201680091674.4
申请日:2016-10-18
Applicant: 佳殿玻璃控股有限公司 , 佳殿欧洲责任有限公司
Inventor: 阿里特拉·比斯瓦斯 , 贝恩德·迪斯特尔多尔夫 , 拉金德兰·文卡特斯安
IPC: C03C17/36
Abstract: 本发明涉及一种包括低辐射率(低E)涂层的涂覆制品。在某些示例性实施方案中,所述低E涂层被设置在基板(例如,玻璃基板)上,并且包括由接触层(例如,NiCr基层)间隔开的至少第一红外(IR)反射层和第二红外反射层(例如,银基层),以及诸如氮化硅之类的材料的介电层或包含所述材料的介电层。所述介电层被氧化锆的层或包含氧化锆的层分开以便改善耐久性。在某些示例性实施方案中,所述涂覆制品具有低可见光透射率(例如,不大于60%,更优选地不大于约55%,并且最优选地不大于约50%)。
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公开(公告)号:CN110382225A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201680091662.1
申请日:2016-10-18
Applicant: 佳殿玻璃控股有限公司 , 佳殿玻璃有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低辐射率(低E)涂层,所述低E涂层在基板(例如,玻璃基板)上,其包括由接触层(例如,NiCr基层)间隔开的至少第一红外(IR)反射层和第二红外反射层(例如,银基层),包含氮化硅的层,以及可被氧化和/或氮化的材料(诸如铌锆)的吸收剂层或包含可以被氧化和/或氮化的材料诸如铌锆的吸收剂层。所述吸收剂层被设计成允许涂覆制品实现玻璃侧反射(相当于当所述涂层设置在IG窗单元的表面#2上时,IG窗单元中的外部反射)银色。在某些示例性实施方案中,所述涂覆制品(单片形式和/或IG窗单元形式)具有低可见光透射率(例如,15%至45%,更优选地为22%至39%,并且最优选地为24%至35%)。在某些示例性实施方案中,所述涂覆制品可被热处理(例如,热回火和/或热弯曲)。
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公开(公告)号:CN110366544A
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201680091670.6
申请日:2016-10-18
Applicant: 佳殿玻璃有限公司 , 佳殿玻璃控股有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基底(例如,玻璃基底)上的低辐射率(低E值)涂层,所述涂层包括由接触层(例如,基于NiCr的层)间隔开的至少第一红外(IR)反射层和第二红外(IR)反射层(例如,基于银的层)、含有氮化硅的层以及可以被氧化和/或氮化的材料诸如铌锆的吸收体层或含有可以被氧化和/或氮化的材料诸如铌锆的吸收体层。所述吸收体层被设计成允许所述涂覆制品实现玻璃侧反射(相当于当所述涂层在所述IG单元的表面#2上时IG窗单元的外部反射)灰色。在某些示例性实施方案中,所述涂覆制品(单片形式和/或IG窗单元形式)具有低可见光透射率(例如,20%至45%,更优选22%至39%,并且最优选25%至37%)。在某些示例性实施方案中,可以对所述涂覆制品进行热处理(例如,热回火和/或热弯曲)。
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公开(公告)号:CN110382429A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201680091634.X
申请日:2016-12-16
Applicant: 佳殿玻璃控股有限公司
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种用于后挡板应用的涂覆制品,诸如厨房后挡板,浴室后挡板和浴室地板/壁应用。涂覆制品包括在玻璃基板上的涂层,其中该涂层包括多个电介质层和多个金属基层并且被配置成使得涂覆制品具有期望的玻璃侧反射着色(例如,青铜、蓝色、银和/或灰色着色),并且足够不透明以隐藏用于将涂覆制品粘附到壁/地板上的粘合剂。涂层可被配置成实现热稳定性,以便具有最小或减少的玻璃侧反射色移热处理(例如,热回火)。
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公开(公告)号:CN110382432B
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN201680091674.4
申请日:2016-10-18
Applicant: 佳殿玻璃管理服务有限责任公司 , 佳殿欧洲责任有限公司
Inventor: 阿里特拉·比斯瓦斯 , 贝恩德·迪斯特尔多尔夫 , 拉金德兰·文卡特斯安
IPC: C03C17/36
Abstract: 本发明涉及一种包括低辐射率(低E)涂层的涂覆制品。在某些示例性实施方案中,所述低E涂层被设置在基板(例如,玻璃基板)上,并且包括由接触层(例如,NiCr基层)间隔开的至少第一红外(IR)反射层和第二红外反射层(例如,银基层),以及诸如氮化硅之类的材料的介电层或包含所述材料的介电层。所述介电层被氧化锆的层或包含氧化锆的层分开以便改善耐久性。在某些示例性实施方案中,所述涂覆制品具有低可见光透射率(例如,不大于60%,更优选地不大于约55%,并且最优选地不大于约50%)。
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