公开(公告)号：CN1830067A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480015254.5

申请日：2004-06-02

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  金成国

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种可以减小表面电阻变化的激光退火方法。在由半导体材料构成的基板的深度比100nm浅的表层部添加杂质。对基板照射从激光二极管激励型全固体激光振荡器射出的激光束或其高次谐波束，使杂质活性化。

公开(公告)号：CN100426464C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200480015254.5

申请日：2004-06-02

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  金成国

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种可以减小表面电阻变化的激光退火方法。在由半导体材料构成的基板的深度比100nm浅的表层部添加杂质。对基板照射从激光二极管激励型全固体激光振荡器射出的激光束或其高次谐波束，使杂质活性化。