公开(公告)号：CN103299495A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004449.4

申请日：2012-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 熊野哲弥 ,  上野昌纪 ,  京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  筑岛克典 ,  田才邦彦 ,  中岛博

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种具有降低的阈值电流的氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法。所述氮化镓基半导体激光器元件具有n型包覆层15b、n侧光导层29、有源层27、p侧光导层31和p型包覆层23。有源层27的激射波长为400nm以上且550nm以下。n型包覆层15b为InxAlyGa1-x-yN(0