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公开(公告)号：CN114117982A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110959518.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 提供模拟方法、存储媒介及模拟装置，即使在频率较低的情况下也获得优异的精度。使用半导体与绝缘体之间的界面包含伴随于向金属施加的电压的变化而将电子捕获及放出的多个离散性的界面态的C‑V特性模型，C‑V特性模型表示与电压的变化对应的第三电容，第三电容包括与形成于界面的耗尽层对应的第一电容、与多个离散性的界面态对应的第二电容、绝缘体的电容。计算与被施加于金属的第一电压对应的第一电容，根据由多个离散性的界面态中与第一电压对应的第一界面态放出的电子的量来计算第二电容，在计算第二电容时通过使第一电压阶段性地变化来使与该第一电压对应的第一界面态阶段性地变化。
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