公开(公告)号：CN101432471A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015378.7

申请日：2007-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  樱田隆 ,  藤原伸介 ,  罔久拓司 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。