公开(公告)号：CN103649220B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201280034811.2

申请日：2012-07-16

Applicant: 住友电木株式会社 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： 大西治 ,  池田治生 ,  田头宣雄 ,  L·罗德斯 ,  P·坎达纳拉什切

IPC: C08L65/00

CPC classification number: G03F7/0233 ,  C08F32/08 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  C09D135/00 ,  G03F7/022 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0384

Abstract: 公开了可用于形成可自成像薄膜的共聚物和包括这种共聚物的组合物。这些共聚物包括降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元，其中这种和马来酸酐-型重复单元中的至少一些被开环。由这些共聚物组合物形成的薄膜提供可自成像的低-k、热稳定层以供在微电子和光电器件中使用。

公开(公告)号：CN103649220A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280034811.2

申请日：2012-07-16

Applicant: 住友电木株式会社 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： 大西治 ,  池田治生 ,  田头宣雄 ,  L·罗德斯 ,  P·坎达纳拉什切

IPC: C08L65/00

CPC classification number: G03F7/0233 ,  C08F32/08 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  C09D135/00 ,  G03F7/022 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0384

Abstract: 本发明公开了可用于形成可自成像薄膜的共聚物和包括这种共聚物的组合物。这些共聚物包括降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元，其中这种和马来酸酐-型重复单元中的至少一些被开环。由这些共聚物组合物形成的薄膜提供可自成像的低-k、热稳定层以供在微电子和光电器件中使用。