公开(公告)号：CN1367527A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN01145759.7

申请日：2001-12-30

Applicant: 住友电木株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 番场敏夫 ,  平野孝 ,  篠原正英

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 一种半导体器件的制备方法,包括:在半导体元件表面上形成一层有机聚合物树脂层,对形成的层进行图案形成和固化处理,用已形成了图案并固化了的层作为掩模而对元件进行蚀刻以暴露出位于开放部分的导电层,在100℃或更高的温度下用氧等离子体处理元件并清洗位于开放部分的导电层。当通过氧等离子处理来清洗开放部分的导电层时,有机保护层上的裂纹形成得到抑制,有机保护层与密封树脂间的粘结性得到提高。

公开(公告)号：CN1217391C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01145759.7

申请日：2001-12-30

Applicant: 住友电木株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 番场敏夫 ,  平野孝 ,  篠原正英

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体元件表面上形成一层有机聚合物树脂层，对形成的层进行图案形成和固化处理，用已形成了图案并固化了的层作为掩模而对元件进行蚀刻以暴露出位于开放部分的导电层，在100℃或更高的温度下用氧等离子体处理元件并清洗位于开放部分的导电层。当通过氧等离子处理来清洗开放部分的导电层时，有机保护层上的裂纹形成得到抑制，有机保护层与密封树脂间的粘结性得到提高。