半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119604012A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411198503.4

    申请日:2024-08-29

    Inventor: 橘川真人

    Abstract: 一种半导体装置,具备:基板,具有主面和与主面对置的背面;第一晶体管(35a),设于活性区域处的主面,具备第一源电极、第一漏电极及在第一方向上配置于第一源电极与第一漏电极之间的第一栅电极;第二晶体管(35c),设于主面,具备从第二方向观察时设于第一源电极内并与第一源电极电连接的第二源电极、与第一漏电极电连接的第二漏电极以及在第一方向上配置于第二源电极与第二漏电极之间的第二栅电极;第一栅极布线(24),设于主面,使第二源电极配置于第一栅极布线(24)与第二栅电极之间,从第二方向观察时设于第一源电极内,与第一栅电极电连接;以及背面金属层,设于背面,经由贯通基板的过孔(20a)与第一源电极电连接。

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