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公开(公告)号：CN1788358B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200480012774.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该III-V族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述III-V族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。
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公开(公告)号：CN100527453C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200580024108.3
申请日：2005-07-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，和0≤z≤1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850℃范围内的温度下，在p-型接触层和n-型接触层之间，形成厚度为500至5000的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0≤a≤1，0≤b≤1，和0≤c≤1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。
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公开(公告)号：CN1788358A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012774.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种3－5族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个以下的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该3－5族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述3－5族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。
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公开(公告)号：CN102668708A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080042958.7
申请日：2010-09-22
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3246 , H01L51/5231 , H01L51/524
Abstract: 本发明提供有机EL装置。该有机EL装置具有：第1基板、在上述第1基板上配置的阳极、在上述阳极上配置的发光层、由绝缘材料形成并且划分上述发光层的隔壁、覆盖上述发光层并且在隔壁上延伸的阴极、和隔着密封构件在上述第1基板重叠的第2基板，上述阴极具有多层膜结构，该多层膜结构具有向上述发光层注入电子的电子注入层和至少一个导电层，上述电子注入层覆盖上述发光层，至少一个导电层覆盖上述电子注入层。
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公开(公告)号：CN102792773B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180013201.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/3276 , H01L27/3288 , H01L51/448 , H05B33/0896 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T29/49002
Abstract: 所述电气装置具有：支承基板(12)；在支承基板(12)上设定的密封区域内设置的电路(14)；在支承基板(12)上，将外部的电气信号输入输出源与电路(14)电连接的电气配线；包围密封区域且设置在支承基板(12)上的密封构件(16)；隔着密封构件(16)贴合于支承基板(12)的密封基板(17)。电路(14)具备具有有机层的电子元件(24)，在俯视下，密封构件(16)的宽度在电气配线(15)与密封构件(16)交叉的交叉区域和除了交叉区域以外的非交叉区域中不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102835187A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180012571.1
申请日：2011-03-04
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L51/525 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/107 , H01L51/5246
Abstract: 本发明提供一种电气装置及其制造方法，所述电气装置具有：支承基板(12)；在支承基板(12)上设定的密封区域内设置的电路(14)；包围密封区域且设置在支承基板(12)上的密封构件(16)；隔着密封构件(16)贴合于支承基板(12)的密封基板(17)；配置在支承基板(12)与密封基板(17)之间的间隔件(23)。电路(14)具备具有有机层的电子元件(24)，密封构件(16)和间隔件(23)使用相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN100517571C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200380104547.6
申请日：2003-11-21
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供了一种III-V族化合物半导体，其特征在于，按所述顺序至少具有衬底、用通式InuGavAlwN(0≤u、v、w≤1，u+v+w＝1)表示的缓冲层及用通式InxGayAlzN(0≤x、y、z≤1，x+y+z＝1)表示的III-V族化合物半导体晶体层，该缓冲层的膜厚是5埃以上90埃以下，以及一种制造III-V族化合物半导体的方法，其特征在于，在衬底上使用通式InxGayAlzN表示的III-V族化合物半导体晶体生长时，在使该化合物半导体晶体层生长之前，在比该化合物半导体晶体层的生长温度低的温度下将用通式InuGavAlwN表示的缓冲层成膜为5埃以上90埃以下的膜厚之后，使该化合物半导体晶体层生长。
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公开(公告)号：CN102792773A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013201.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/3276 , H01L27/3288 , H01L51/448 , H05B33/0896 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T29/49002
Abstract: 所述电气装置具有：支承基板(12)；在支承基板(12)上设定的密封区域内设置的电路(14)；在支承基板(12)上，将外部的电气信号输入输出源与电路(14)电连接的电气配线；包围密封区域且设置在支承基板(12)上的密封构件(16)；隔着密封构件(16)贴合于支承基板(12)的密封基板(17)。电路(14)具备具有有机层的电子元件(24)，在俯视下，密封构件(16)的宽度在电气配线(15)与密封构件(16)交叉的交叉区域和除了交叉区域以外的非交叉区域中不同。
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公开(公告)号：CN1989626A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024108.3
申请日：2005-07-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0x1，0y1，和0z1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850C范围内的温度下，在p－型接触层和n－型接触层之间，形成厚度为500至5000？的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0a1，0b1，和0c1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。
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公开(公告)号：CN1717780A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104547.6
申请日：2003-11-21
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供了一种3～5族化合物半导体，其特征在于，按所述顺序至少具有衬底、用通式InuGavAlwN(0≤u、v、w≤1，u+v+w＝1)表示的缓冲层及用通式InxGayAlzN(0≤x、y、z≤1，x+y+z＝1)表示的3～5族化合物半导体晶体层，该缓冲层的膜厚是5埃以上90埃以下，以及一种制造3～5族化合物半导体的方法，其特征在于，在衬底上使用通式InxGayAlzN表示的3～5族化合物半导体晶体生长时，在使该化合物半导体晶体层生长之前，在比该化合物半导体晶体层的生长温度低的温度下将用通式InuGavAlwN表示的缓冲层成膜为5埃以上90埃以下的膜厚之后，使该化合物半导体晶体层生长。
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