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1.

发明公开
通过使用聚合物掩模的选择性沉积无效

公开(公告)号：CN103959434A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280059809.0

申请日：2012-12-05

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： M.S.伯贝里 , D.H.莱维

IPC: H01L21/02 , H01L21/36 , H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02642

Abstract: 通过在合适的接收基底上形成图案化薄膜来制备电子器件。氰基丙烯酸酯聚合物用作沉积抑制剂材料并首先作为沉积抑制剂材料施加。该沉积抑制剂材料可以图案化以便在接收基底上提供其中不存在沉积抑制剂的选定区域。随后使用化学气象沉积技术仅在其中不存在该沉积抑制剂材料的那些区域中在接收基底上沉积无机薄膜。该氰基丙烯酸酯聚合物沉积抑制剂材料可以在形成图案化薄膜之前通过热转印从供体元件施加到接收基底上。

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