使用非晶态硅感光体的图像形成装置

    公开(公告)号:CN101539735A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200910008781.8

    申请日:2009-03-09

    Inventor: 石原力 高上爱

    CPC classification number: G03G5/08257 G03G5/0825 G03G15/751 G03G2215/00957

    Abstract: 本发明提供一种使用非晶态硅感光体的图像形成装置。所述图像形成装置包括含有非晶态硅感光体的图像形成部。所述非晶态硅感光体包括基体以及设置在所述基体上的感光层。所述感光层包括在基体上顺序层叠的、高电阻层、阻止电荷注入层、光导电层和表面保护层。所述高电阻层的膜厚在1~4μm的范围内。所述感光层的膜厚在15~25μm的范围内,且所述感光层的固体光电位的绝对值在20~100V的范围内。

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