-
公开(公告)号:CN118871407A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202380023526.9
申请日:2023-02-13
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/596 , C04B35/591
Abstract: 本发明的氮化硅质烧结体含有氮化硅粒子和钇硅氧氮化物(Yttrium Silicon Oxynitride)粒子,气孔率为14%以下。
公开(公告)号:CN118871407A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202380023526.9
申请日:2023-02-13
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/596 , C04B35/591
Abstract: 本发明的氮化硅质烧结体含有氮化硅粒子和钇硅氧氮化物(Yttrium Silicon Oxynitride)粒子,气孔率为14%以下。