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公开(公告)号：CN101681985A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018026.1
申请日：2008-05-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , F02M47/02 , F02M51/00 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: F02M51/0603 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0838 , H01L41/257 , H01L41/273
Abstract: 本发明提供一种能够减少在相当于活性区域和非活性区域的边界的部位发生应力、且耐久性高的层叠型压电元件和其制造方法。该层叠型压电元件为具有交替层叠了多层压电体层11和内部电极13的层叠结构15的层叠型压电元件，压电体层11含有构成为该压电体层11的主成分的压电陶瓷的元素以外的金属元素，在压电体层11的内部电极层13的端部的部位11a附近存在以金属元素作为主成分的金属粒子，端部附近的部位11a的金属的含有量比金属元素和非金属元素的化合物的含有量大。
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公开(公告)号：CN102651448B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210155477.8
申请日：2006-06-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/047
CPC classification number: H01L41/0838 , B05B17/0653 , F02M51/0603 , H01L41/0471 , H01L41/0477
Abstract: 本发明提供一种层叠型压电元件及喷射装置，将压电体层和金属层交互层叠多个而成，其中，多个上述金属层包括多层构成该金属层的金属的充填率比层叠方向相邻的两侧的金属层低的低充填层。在将压电体层和金属层交互层叠多个而成的层叠型压电元件中，多个上述金属层包括多个厚度比层叠方向相邻的两侧的金属层薄的薄型金属层。在将压电体层和以合金为主成分的金属层交互层叠多个而成的层叠型压电元件中，多个上述金属层包括构成上述合金的一种成分的比率比层叠方向相邻的两侧及金属层高的高比率金属层。
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公开(公告)号：CN101681985B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200880018026.1
申请日：2008-05-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , F02M47/02 , F02M51/00 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: F02M51/0603 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0838 , H01L41/257 , H01L41/273
Abstract: 本发明提供一种能够减少在相当于活性区域和非活性区域的边界的部位发生应力、且耐久性高的层叠型压电元件和其制造方法。该层叠型压电元件为具有交替层叠了多层压电体层11和内部电极13的层叠结构15的层叠型压电元件，压电体层11含有构成为该压电体层11的主成分的压电陶瓷的元素以外的金属元素，在压电体层11的内部电极层13的端部的部位11a附近存在以金属元素作为主成分的金属粒子，端部附近的部位11a的金属的含有量比金属元素和非金属元素的化合物的含有量大。
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公开(公告)号：CN101238598A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680021047.X
申请日：2006-06-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/0838 , B05B17/0653 , F02M51/0603 , H01L41/0471 , H01L41/0477
Abstract: 本发明提供一种层叠型压电元件及喷射装置，将压电体层和金属层交互层叠多个而成，其中，多个上述金属层包括多层构成该金属层的金属的充填率比层叠方向相邻的两侧的金属层低的低充填层。在将压电体层和金属层交互层叠多个而成的层叠型压电元件中，多个上述金属层包括多个厚度比层叠方向相邻的两侧的金属层薄的薄型金属层。在将压电体层和以合金为主成分的金属层交互层叠多个而成的层叠型压电元件中，多个上述金属层包括构成上述合金的一种成分的比率比层叠方向相邻的两侧及金属层高的高比率金属层。
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公开(公告)号：CN101390228B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780006824.8
申请日：2007-02-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/273 , C04B35/195 , C04B2235/3225 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , F02M51/0603 , G01N27/4071 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0838 , H01M8/1246 , H01M2300/0077 , Y02E60/525 , Y02P70/56 , Y10T29/42 , Y10T428/24997 , Y10T428/249981 , Y10T428/24999 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷构件的制造方法、陶瓷构件。制造一种金属层的烧结充分进行、金属层中树脂等杂质残渣少且金属层的空隙率高的陶瓷构件。该陶瓷构件的制造方法包含：制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分(M1)的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序；和烧成该层叠成形体的工序，金属成分(M1)相对于含于金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时，将多个金属膏层中至少一层作为质量百分率X比在层叠方向上相邻的第一金属膏层高的第二金属膏层，使该第二金属膏层中含有陶瓷粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101395731A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780008134.6
申请日：2007-02-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/22 , H01M8/02 , H01M8/12
CPC classification number: B22F7/08 , G01N27/4073 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0838 , H01L41/273 , H01M8/1246 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56 , Y10T428/2495 , Y10T428/249981
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷构件的制造方法、陶瓷构件。制造一种金属层的烧结充分进行、金属层中树脂等杂质残渣少且金属层的空隙率高的陶瓷构件。该陶瓷构件的制造方法包含：制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分(M1)的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序；和烧成该层叠成形体的工序，金属成分(M1)相对于含于金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时，将多个金属膏层中至少一层作为质量百分率X比在层叠方向上相邻的第一金属膏层高的第二金属膏层。
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公开(公告)号：CN101390228A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006824.8
申请日：2007-02-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/273 , C04B35/195 , C04B2235/3225 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , F02M51/0603 , G01N27/4071 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0838 , H01M8/1246 , H01M2300/0077 , Y02E60/525 , Y02P70/56 , Y10T29/42 , Y10T428/24997 , Y10T428/249981 , Y10T428/24999 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷构件的制造方法、陶瓷构件。制造一种金属层的烧结充分进行、金属层中树脂等杂质残渣少且金属层的空隙率高的陶瓷构件。该陶瓷构件的制造方法包含：制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分(M1)的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序；和烧成该层叠成形体的工序，金属成分(M1)相对于含于金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时，将多个金属膏层中至少一层作为质量百分率X比在层叠方向上相邻的第一金属膏层高的第二金属膏层，使该第二金属膏层中含有陶瓷粉末。
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公开(公告)号：CN101238598B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200680021047.X
申请日：2006-06-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/0838 , B05B17/0653 , F02M51/0603 , H01L41/0471 , H01L41/0477
Abstract: 本发明提供一种层叠型压电元件及喷射装置，将压电体层和金属层交互层叠多个而成，其中，多个上述金属层包括多层构成该金属层的金属的充填率比层叠方向相邻的两侧的金属层低的低充填层。在将压电体层和金属层交互层叠多个而成的层叠型压电元件中，多个上述金属层包括多个厚度比层叠方向相邻的两侧的金属层薄的薄型金属层。在将压电体层和以合金为主成分的金属层交互层叠多个而成的层叠型压电元件中，多个上述金属层包括构成上述合金的一种成分的比率比层叠方向相邻的两侧及金属层高的高比率金属层。
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公开(公告)号：CN102132433A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133583.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 川元智裕
IPC: H01L41/083 , F02M51/00 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/083 , F02M51/0603 , H01L41/1876 , H01L41/257 , H01L41/273
Abstract: 本发明提供一种层叠型压电元件，其可以加快响应速度、增大位移量，并且，能够确保足够的机械强度且可以抑制特性劣化。该层叠型压电元件(1)包含交替层叠有压电体层(3)和内部电极层(5)的层叠体(7)，在压电体层(3)形成有跨多个晶粒(11)的极化畴(12)。由于在压电体层(3)形成有跨多个晶粒(11)的极化畴(12)，因此，层叠型压电元件(1)的响应速度加快，可以增大位移量，并且机械强度增强，可以将特性劣化抑制得小。
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公开(公告)号：CN101395731B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780008134.6
申请日：2007-02-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/22 , H01M8/02 , H01M8/12
CPC classification number: B22F7/08 , G01N27/4073 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0838 , H01L41/273 , H01M8/1246 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56 , Y10T428/2495 , Y10T428/249981
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷构件的制造方法、陶瓷构件。制造一种金属层的烧结充分进行、金属层中树脂等杂质残渣少且金属层的空隙率高的陶瓷构件。该陶瓷构件的制造方法包含：制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分(M1)的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序；和烧成该层叠成形体的工序，金属成分(M1)相对于含于金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时，将多个金属膏层中至少一层作为质量百分率X比在层叠方向上相邻的第一金属膏层高的第二金属膏层。
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