公开(公告)号：CN115066772B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202180013650.8

申请日：2021-06-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 平尾和辉 ,  原章洋 ,  山口笃辉

IPC: H01M8/0228 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0215 ,  H01M8/0236 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/04 ,  H01M8/12 ,  H01M8/2475 ,  C25B13/04

Abstract: 导电构件具有基材以及位于基材上且含有第一元素的覆盖部。基材含有铬。第一元素的第一电离能比铬小并且第一元素的氧化物的生成自由能的绝对值比铬小。

公开(公告)号：CN117157785A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280026763.6

申请日：2022-04-13

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 平尾和辉 ,  原章洋 ,  山口笃辉

IPC: H01M8/0215

Abstract: 导电构件具备基材和被覆层。基材含有铬。被覆层覆盖基材。被覆层包含：导电性的氧化物；作为第一电离能和氧化物的生成自由能的绝对值小于铬的第一元素的氧化物的第一氧化物。

公开(公告)号：CN115066772A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013650.8

申请日：2021-06-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 平尾和辉 ,  原章洋 ,  山口笃辉

IPC: H01M8/0228 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0215 ,  H01M8/0236 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/04 ,  H01M8/12 ,  H01M8/2475 ,  C25B13/04

Abstract: 导电构件具有基材以及位于基材上且含有第一元素的覆盖部。基材含有铬。第一元素的第一电离能比铬小并且第一元素的氧化物的生成自由能的绝对值比铬小。

公开(公告)号：CN118648143A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202380018395.5

申请日：2023-01-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山口笃辉 ,  原章洋 ,  平尾和辉

IPC: H01M8/0228 ,  H01B1/00 ,  H01M8/0215 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/0247 ,  H01M8/04 ,  H01M8/12 ,  H01M8/2475

Abstract: 导电构件具有基材和位于基材上且含有第一元素以及第二元素的被覆部。基材含有铬。第一元素是第一电离能及每1摩尔氧的氧化物的生成自由能小于铬的1种以上的元素。第二元素是选自Fe、Ni、Ti、Si、Al、Mn以及Co中的1种以上的元素。