公开(公告)号：CN114746265B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202080083464.7

申请日：2020-12-01

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 安平睦基 ,  中尾吉宏

IPC: B32B3/30 ,  B32B15/04 ,  C08J5/18 ,  H01G4/32

Abstract: 本公开的金属化薄膜，包括：电介质薄膜，是具有第一面以及第一面相反侧的第二面、且膜厚为1～3μm的电介质薄膜，第一面的算术平均高度和第二面的算术平均高度不同，第一面的最大高度Sz1满足式100nm＜Sz1≤350nm，第二面的最大高度Sz2满足式10nm≤Sz2≤100nm；和，设置于所述第二面的金属膜。

公开(公告)号：CN114746265A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083464.7

申请日：2020-12-01

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 安平睦基 ,  中尾吉宏

IPC: B32B3/30 ,  B32B15/04 ,  C08J5/18 ,  H01G4/32

Abstract: 本公开的金属化薄膜，包括：电介质薄膜，是具有第一面以及第一面相反侧的第二面、且膜厚为1～3μm的电介质薄膜，第一面的算术平均高度和第二面的算术平均高度不同，第一面的最大高度Sz1满足式100nm＜Sz1≤350nm，第二面的最大高度Sz2满足式10nm≤Sz2≤100nm；和，设置于所述第二面的金属膜。