公开(公告)号：CN104412393B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380031740.5

申请日：2013-12-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 细见和德 ,  大场健二

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明所涉及的太阳能电池元件具备：半导体基板，其具有位于第1主面的第1导电型的第1半导体区域、以及在位于与第1主面相反侧的第2主面的表层部具有与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域；和线状的电极，其被配置在半导体基板的所述第2主面上。此外，该太阳能电池元件的第2半导体区域具有：第1浓度区域，其存在于俯视来看从电极起隔着规定距离的位置；和第2浓度区域，其包含掺杂剂浓度比第1浓度区域高的高浓度区域，并且沿着电极的长边方向而存在。此外，该太阳能电池元件中，从一个部位的第2浓度区域的掺杂剂浓度的值减去与该一个部位接近的部位的第1浓度区域的掺杂剂浓度的值后得到的掺杂剂浓度差沿着电极的长边方向，成为极小值的极小部位与成为极大值的极大部位交替反复存在。该太阳能电池元件在电极的长边方向上具有相邻的所述极小部位的一端部彼此的极小部位问隔不同的部分。

公开(公告)号：CN104412393A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380031740.5

申请日：2013-12-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 细见和德 ,  大场健二

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明所涉及的太阳能电池元件具备：半导体基板，其具有位于第1主面的第1导电型的第1半导体区域、以及在位于与第1主面相反侧的第2主面的表层部具有与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域；和线状的电极，其被配置在半导体基板的所述第2主面上。此外，该太阳能电池元件的第2半导体区域具有：第1浓度区域，其存在于俯视来看从电极起隔着规定距离的位置；和第2浓度区域，其包含掺杂剂浓度比第1浓度区域高的高浓度区域，并且沿着电极的长边方向而存在。此外，该太阳能电池元件中，从一个部位的第2浓度区域的掺杂剂浓度的值减去与该一个部位接近的部位的第1浓度区域的掺杂剂浓度的值后得到的掺杂剂浓度差沿着电极的长边方向，成为极小值的极小部位与成为极大值的极大部位交替反复存在。该太阳能电池元件在电极的长边方向上具有相邻的所述极小部位的一端部彼此的极小部位问隔不同的部分。