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公开(公告)号：CN110997972B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201880050092.0
申请日：2018-07-30
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 日野高志 , 井上哲夫 , 斋藤秀一
IPC: C23C14/08 , C23C8/12 , C23C14/34 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的部件具备具有多晶氧化钇的膜。在膜的X射线衍射图案中，归属于单斜晶氧化钇的峰的最大强度Im相对于归属于立方晶氧化钇的峰的最大强度Ic之比Im/Ic满足式：0≤Im/Ic≤0.002。
