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公开(公告)号：CN108257978B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201810031419.1
申请日：2018-01-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请公开了一种有源材质层及其制造方法、显示面板，属于显示技术领域。所述有源材质层的制造方法包括：在基板上采用预设方式沉积非晶硅层，预设方式包括：等离子体增强化学气相沉积PECVD方式；在非晶硅层上采用原子层沉积方式沉积类单晶硅层，以得到包括非晶硅层和类单晶硅层的有源材质层。本申请解决了使用PECVD方式沉积的非晶硅内部含有较多硅的未饱和悬挂键或者存在位错空位，有源材质层的均匀性，有源层的性能较差的问题。本申请用于有源材质层的制造。
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公开(公告)号：CN109909601A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201711327699.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: B23K26/06 , B23K26/064
Abstract: 本发明提供一种激光加工系统及方法，该激光加工系统包括：至少两个激光器，用于产生至少两个激光束；与所述至少两个激光器一一对应设置的调焦模组，用于调节对应激光器产生的激光束的聚焦位置；合束模组，用于接收聚焦位置调整后的至少两个激光束，并同轴输出所述至少两个激光束。本发明可以提高待加工工件的切割质量，有效降低待加工工件的不良率；同时可以扩大激光器的适用范围，提高调节激光器产生的激光束的聚焦位置的灵活性。
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公开(公告)号：CN108257978A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810031419.1
申请日：2018-01-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请公开了一种有源材质层及其制造方法、显示面板，属于显示技术领域。所述有源材质层的制造方法包括：在基板上采用预设方式沉积非晶硅层，预设方式包括：等离子体增强化学气相沉积PECVD方式；在非晶硅层上采用原子层沉积方式沉积类单晶硅层，以得到包括非晶硅层和类单晶硅层的有源材质层。本申请解决了使用PECVD方式沉积的非晶硅内部含有较多硅的未饱和悬挂键或者存在位错空位，有源材质层的均匀性，有源层的性能较差的问题。本申请用于有源材质层的制造。
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公开(公告)号：CN105880977A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610474981.2
申请日：2016-06-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
CPC classification number: B23P19/006 , B23P19/04
Abstract: 本发明提供一种喷嘴拆装装置，用于对容器的喷嘴进行拆装，所述喷嘴与所述容器的本体通过螺纹连接，所述喷嘴拆装装置包括容器固定机构和至少一个喷嘴拆装机构，所述容器固定机构用于固定容器的本体；所述喷嘴拆装机构包括：喷嘴固定部，用于固定待拆装的喷嘴，并使所述喷嘴的轴线位于预定轴线上；旋转驱动部，用于驱动所述喷嘴固定部绕所述预定轴线旋转。本发明能够提高喷嘴拆装效率，减少人力。
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公开(公告)号：CN107587106B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201711062791.0
申请日：2017-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法，所述掩模板包括掩模板主体，所述掩模板主体上设有遮挡部和多个开口部；所述掩模板主体包括相背的两个面，其中在所述相背的两个面中至少一个面上的预定区域处设有磁性层。本发明能够改善蒸镀时由于掩模板不平坦而导致的混色、均一性差等不良，提升产品良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847890A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710085932.4
申请日：2017-02-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本申请的实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，其在氧化物半导体层形成氧空位，从而使得氧化物半导体层与源极层和漏极层形成很好的欧姆接触，降低氧化物半导体层与源极层和漏极层的接触电阻，进而提高氧化物薄膜晶体管的工作稳定性。本申请的实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：设置氧化物半导体层；在氧化物半导体层之上设置能与氧化物半导体层发生相互作用形成氧空位的保护层；在保护层之上形成源极层和漏极层；刻蚀源极层和漏极层覆盖范围之外的保护层；使所述氧化物半导体层在与所述保护层接触部分形成氧空位。
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公开(公告)号：CN106847890B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710085932.4
申请日：2017-02-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本申请的实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，其在氧化物半导体层形成氧空位，从而使得氧化物半导体层与源极层和漏极层形成很好的欧姆接触，降低氧化物半导体层与源极层和漏极层的接触电阻，进而提高氧化物薄膜晶体管的工作稳定性。本申请的实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：设置氧化物半导体层；在氧化物半导体层之上设置能与氧化物半导体层发生相互作用形成氧空位的保护层；在保护层之上形成源极层和漏极层；刻蚀源极层和漏极层覆盖范围之外的保护层；使所述氧化物半导体层在与所述保护层接触部分形成氧空位。
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公开(公告)号：CN105880977B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610474981.2
申请日：2016-06-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种喷嘴拆装装置，用于对容器的喷嘴进行拆装，所述喷嘴与所述容器的本体通过螺纹连接，所述喷嘴拆装装置包括容器固定机构和至少一个喷嘴拆装机构，所述容器固定机构用于固定容器的本体；所述喷嘴拆装机构包括：喷嘴固定部，用于固定待拆装的喷嘴，并使所述喷嘴的轴线位于预定轴线上；旋转驱动部，用于驱动所述喷嘴固定部绕所述预定轴线旋转。本发明能够提高喷嘴拆装效率，减少人力。
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公开(公告)号：CN107587106A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201711062791.0
申请日：2017-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法，所述掩模板包括掩模板主体，所述掩模板主体上设有遮挡部和多个开口部；所述掩模板主体包括相背的两个面，其中在所述相背的两个面中至少一个面上的预定区域处设有磁性层。本发明能够改善蒸镀时由于掩模板不平坦而导致的混色、均一性差等不良，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN207331041U
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201721444219.6
申请日：2017-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种掩模板、蒸镀掩模板组件及蒸镀设备，所述掩模板包括掩模板主体，所述掩模板主体上设有遮挡部和多个开口部；所述掩模板主体包括相背的两个面，其中在所述相背的两个面中至少一个面上的预定区域处设有磁性层。本实用新型能够改善蒸镀时由于掩模板不平坦而导致的混色、均一性差等不良，提升产品良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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