-
公开(公告)号：CN115118246A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110308189.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H03H7/46
Abstract: 本公开提供一种射频双工器电路及射频基板，属于通信技术领域。本公开的射频双工器电路，其包括第一端口、第二端口、第三端口、低通滤波器和高通滤波器；低通滤波器包括N个串接的第一滤波子电路、第一调谐子电路；在N个串接的第一滤波子电路中，第1个第一滤波子电路第一端连接第一端口，第N个第一滤波子电路的第二端连接第二端口；每高通滤波器包括M个串接的第二滤波子电路、第二调谐子电路；在M个串接的第二滤波子电路中，第1个第二滤波子电路的第一端连接第一端口，第M个第二滤波子电路的第二端连接第三端口。
-
公开(公告)号：CN114759322B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111015609.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种移相器、天线及移相器，属于通信技术领域。本公开的移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的第一介质层；所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述第一介质层一侧的传输线；所述第二基板包括：第二基底，设置在第二基底靠近第一介质层一侧的参考电极，所述参考电极上设置有第一开口，且所述参考电极与所述传输线在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；其中，所述传输线的线长满足所述移相器能够实现对所传输的微波信号进行0°～460°的移相。
-
公开(公告)号：CN115513614A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110697437.5
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种移相器及天线，属于通信技术领域。本发明的移相器，其包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的介质层；第一基板包括：第一基底，以及位于第一基底靠近介质层的一侧的传输线，传输线具有第一传输端、第二传输端和传输主体部；第二基板包括：第二基底，以及位于第二基底上靠近介质层的一侧的参考电极，且参考电极与传输线在第一基底上的正投影至少部分重叠，参考电极上设置有第一开口；移相器还包括：辅助功能结构，辅助功能结构与传输线的第二传输端相连接，且第一开口在第一基底上的正投影与辅助功能结构在所述第一基底上的正投影至少部分交叠。
-
公开(公告)号：CN113884795A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111146007.0
申请日：2021-09-28
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种液晶移相器的检测治具及检测装置。该液晶移相器的检测治具，包括：第一治具板和第二治具板，第一治具板与第二治具板可拆分连接，且第一治具板与第二治具板对合形成用于限制液晶移相器的容纳腔；第一波导转换接头，一端用于与矢量网络分析仪的测试信号输出端电连接，另一端与第一治具板连接，且用于与容纳腔内的液晶移相器的第一信号端耦合；第二波导转换接头，一端与第二治具板连接，且用于与容纳腔内的液晶移相器的第二信号端耦合，另一端用于与矢量网络分析仪的反馈信号输入端电连接。本申请实施例实现了对液晶移相器的直接检测，有效降低检测工艺的繁琐程度，提高检测效率，也有利于提高对液晶移相器的检测精度。
-
公开(公告)号：CN115250641A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202180000318.8
申请日：2021-02-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01P1/18
Abstract: 本公开提供一种移相器及天线，属于通信技术领域。本公开实施例提供的移相器包括移相器，其划分为第一馈电区、第二馈电区，以及移相区；所述移相器包括：相对设置的第一基板和第二基板，设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层,以及第一馈电结构和第二馈电结构，所述第一馈电结构与所述信号线的一端电连接，所述第二馈电结构与所述信号线的另一端电连接；所述第一馈电结构位于所述第一馈电区；所述第二馈电结构位于所述第二馈电区；在所述第一基底和/或所述第二基底上形成有内凹部；所述内凹部位于所述第一馈电区的边缘和/或位于所述第二馈电区的边缘，且任一所述内凹部中填充有导电结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759322A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202111015609.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种移相器、天线及移相器，属于通信技术领域。本公开的移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的第一介质层；所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述第一介质层一侧的传输线；所述第二基板包括：第二基底，设置在第二基底靠近第一介质层一侧的参考电极，所述参考电极上设置有第一开口，且所述参考电极与所述传输线在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；其中，所述传输线的线长满足所述移相器能够实现对所传输的微波信号进行0°～460°的移相。
-
公开(公告)号：CN119817032A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380009725.4
申请日：2023-07-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Inventor： 王熙元
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器及其制备方法、电子设备，属于通信技术领域。体声波谐振器包括：衬底基板(10)、第一电极(11)、压电层(12)和第二电极(13)；体声波谐振器还包括：设置在第一电极(11)靠近衬底基板(10)一侧的第一偏置电阻层(17)，以及设置在第一偏置电阻层(17)和第一电极(11)之间的第一电隔离层(18)；第一偏置电阻层(17)的材料为高电阻率材料；和/或，设置在第二电极(13)背离衬底基板(10)一侧的第二偏置电阻层(110)，以及设置在第二偏置电阻层(110)和第二电极(13)之间的第二电隔离层(19)；第二偏置电阻层(110)的材料为高电阻率材料。
-
公开(公告)号：CN119072849A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380008401.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Inventor： 王熙元
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器及其制备方法、电子设备，属于通信技术领域。本公开的体声波谐振器，其包括：衬底基板、第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极设置在衬底基板上，所述第二电极设置在所述第一电极背离所述衬底基板的一侧，所述压电层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意两者在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；其中，在所述压电层靠近所述衬底基板的一侧，和/或，所述压电层背离所述衬底基板的一侧设置有温漂补偿层；所述温漂补偿层的材料具有热胀冷缩性质，且被配置为抑制所述体声波谐振器的温度漂移。
-
公开(公告)号：CN118367893A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310095102.5
申请日：2023-01-18
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 王熙元
Abstract: 本公开提供一种应用于N79频段的子带滤波电路及其制备方法、电子设备，属于射频技术领域。本公开的应用于N79频段的子带滤波电路，其包括至少一条第一支路和至少一条第二支路；所述第一支路的第一端和第二端分别作为射频输入端和射频输出端，且在所述第一支路上配置有至少一个第一体声波谐振器；所述第二支路的第一端与所述第一支路电连接，第二端连接参考电源端，且所述第二支路上配置有至少一个第二体声波谐振器；所述第一体声波谐振器包括第一介质基板和设置在所述第一介质基板上的第一信号转换模块；所述第二体声波谐振器包括第二介质基板和设置在所述第二介质基板上的第二信号转换模块；其中，所述第一信号转换模块沿所述第一介质基板厚度方向的厚度，与所述第二信号转换模块沿所述第二介质基板厚度方向的厚度不同。
-
公开(公告)号：CN115250641B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202180000318.8
申请日：2021-02-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01P1/18
Abstract: 本公开提供一种移相器及天线，属于通信技术领域。本公开实施例提供的移相器包括移相器，其划分为第一馈电区、第二馈电区，以及移相区；所述移相器包括：相对设置的第一基板和第二基板，设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层,以及第一馈电结构和第二馈电结构，所述第一馈电结构与所述信号线的一端电连接，所述第二馈电结构与所述信号线的另一端电连接；所述第一馈电结构位于所述第一馈电区；所述第二馈电结构位于所述第二馈电区；在所述第一基底和/或所述第二基底上形成有内凹部；所述内凹部位于所述第一馈电区的边缘和/或位于所述第二馈电区的边缘，且任一所述内凹部中填充有导电结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.068 seconds)
