一种电容式开关、控制方法及电子设备

    公开(公告)号:CN117997331A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202211352169.4

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本申请公开一种电容式开关、控制方法及电子设备,涉及电子技术领域,能够稳定控制电容式开关的膜桥与信号线的距离,可以使得电容式开关的开态和关态的电容值较为稳定,提高电容式开关的开关性能。电容式开关,包括:衬底,所述衬底的一侧设置有相互绝缘的信号线、地线和驱动电极;至少两个第一导电锚定结构,一端电连接于所述地线;膜桥,架设于所述第一导电锚定结构的另一端,所述膜桥与所述地线通过所述第一导电锚定结构电连接;所述信号线位于至少两个所述第一导电锚定结构之间,所述驱动电极位于所述第一导电锚定结构远离所述信号线的一侧;所述膜桥在所述衬底上的正投影分别覆盖至少部分所述信号线以及至少部分所述驱动电极。

    一种热开关工作单元、热开关及制备方法和电池模组

    公开(公告)号:CN117352341A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202210830105.4

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 本公开实施例提供一种热开关工作单元、热开关及其制备方法和电池模组。该热开关包括至少一个热开关工作单元。该工作单元包括相对设置的第一基板和第二基板;位于所述第一基板朝向第二基板表面的微悬臂梁;位于所述第二基板朝向所述第一基板表面的电极;和位于所述第一基板和第二基板之间的真空腔;其中,所述微悬臂梁包括位于所述第一基板表面的第一部分和悬空的第二部分。该工作单元不采用液态物质、相变物质,没有汽化风险,可快速实现导热/绝热模式的切换,可以用于不同的应用场景。

    微机电系统开关及通信装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117321721A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280000777.0

    申请日:2022-04-18

    Inventor: 史迎利 李延钊

    Abstract: 提供了微机电系统开关及通信装置,包括基底(101);直流偏置线(102),位于基底(101)的一侧;第一信号传输线(103)和第二信号传输线(104),与直流偏置线(102)位于基底(101)的同一侧,第一信号传输线(103)、第二信号传输线(104)与直流偏置线(102)并排间隔设置且分居在直流偏置线(102)的两侧;悬臂梁(105),位于第一信号传输线(103)所在层远离基底(101)的一侧,悬臂梁(105)跨越直流偏置线(102)且与直流偏置线(102)在垂直基底(101)的方向上具有间隙,悬臂梁(105)包括固定端(51)和自由端(52),固定端(51)与第二信号传输线(104)相连,自由端(52)在基底(101)上的正投影位于第一信号传输线(103)在基底(101)上的正投影内,且在垂直于基底(101)的方向上,自由端(52)与第一信号传输线(103)之间具有间隙;固定结构(106),位于第一信号传输线(103)所在层远离基底(101)的一侧且与第一信号传输线(103)互不接触,固定结构(106)连接自由端(52)与基底(101)。

    MEMS开关及其制作方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115707350A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202180001413.X

    申请日:2021-06-03

    Inventor: 史迎利

    Abstract: 本公开实施例涉及一种柔性MEMS开关,其中,包括MEMS主体和位于所述MEMS主体外部的封装体,所述封装体包括第一柔性盖板和第二柔性盖板,所述第一柔性盖板和所述第二柔性盖板分别罩设于所述MEMS主体的相对的两侧,且所述第一柔性盖板与所述MEMS主体之间形成第一腔体,所述第二柔性盖板与所述MEMS主体之间形成第二腔体。本公开实施例还涉及一种柔性MEMS开关的制作方法。

    MEMS器件及其制备方法、电子设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117963830A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202211320326.3

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本申请提供一种MEMS器件及其制备方法、电子设备。MEMS器件包括基底、膜桥和应力消除构件。其中,膜桥设置于基底的一侧,包括中间区和中间区两边的边缘区,膜桥的两端与基底之间的距离小于膜桥的中间区与基底之间的距离。应力消除构件设置于膜桥的中间区远离基底的一侧,应力消除构件沿膜桥的两端连线方向上的长度小于膜桥两端之间的距离。可以实现,在减薄膜桥厚度以实现低驱动电压的同时,有效吸收膜桥中部的残余应力,提高膜桥的抗弯刚度,减轻其弯曲的程度,避免其与基底或布设于基底上的其他膜层相接触从而导致MEMS器件失效,同时延长膜桥的疲劳寿命,保护膜桥自身不发生过度变形甚至断裂,提高半导体封装结构的机械可靠性。

    移相器及通信装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117256077A

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202280000764.3

    申请日:2022-04-18

    Inventor: 史迎利 李延钊

    Abstract: 本公开提供的移相器及通信装置,包括基底;信号传输线,位于基底的一侧;第一地线和第二地线,与信号传输线位于基底的同一侧,第一地线和第二地线分居在信号传输线的两侧;多个电容桥,位于信号传输线所在层远离基底的一侧,多个电容桥均与第一地线和第二地线相连,多个电容桥跨越信号传输线且在信号传输线的延伸方向上依次排列,在垂直基底的方向上,多个电容桥与信号传输线之间具有间隙,不同电容桥与信号传输线之间的电容达到最大时的临界偏置电压不同。

    MEMS开关器件及电子设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117916190A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202280001940.5

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 一种MEMS开关器件及电子设备,MEMS开关器件包括衬底基板(1)、膜桥结构(2)以及依次排列且间隔设置在衬底基板(1)的第一侧表面(M)的第一地线(31)、信号线(5)和第二地线(32);膜桥结构(2)的第一端部(L)与第一地线(31)电连接,膜桥结构(2)的与第一端部(L)相对设置的第二端部(N)与第二地线(32)电连接;膜桥结构(2)包括膜桥本体结构(21)以及设置在膜桥本体结构(21)上的至少一个凸出结构(22),凸出结构(22)沿垂直于衬底基板(1)的第一侧表面(M)的方向(BB’)相对于膜桥本体结构(21)凸出设置。

    射频微电子机械开关、射频装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116034517A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202180002283.1

    申请日:2021-08-25

    Inventor: 史迎利

    Abstract: 本公开提供一种射频微电子机械开关、射频装置,属于微电子机械系统技术领域,其可至少部分解决现有的射频微电子机械开关功能性能易受器件弯曲变形等场景影响的问题。本公开的频微电子机械开关包括:基底;设置在基底上的信号电极、第一地电极、第二地电极和连接膜桥;所述连接膜桥横跨所述信号电极,且其两端分别与所述第一地电极和所述第二地电极连接;连接膜桥包括可拉伸结构,所述可拉伸结构的可拉伸方向与所述连接膜桥的延伸方向相同。

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