公开(公告)号：CN105490652B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201510629992.9

申请日：2015-09-29

申请人： 亚德诺半导体集团

发明人： V·M·考卡尔尼

IPC分类号： H03G3/20 ,  H03F3/45

摘要： 在示例性的实施方案中，提供了具有高增益和高回转速率的放大器，该放大器包括：一对输入晶体管，输入电压施加到所述一对输入晶体管上；一对二极管连接负载，其与所述输入晶体管耦合；至少一对电流源，其与所述二极管连接负载耦合；以及偏置控制器，其配置为关断所述至少一对电流源以实现所述放大器的高回转速率以及接通所述至少一对电流源以实现所述放大器的高增益。在具体的实施方案中，电流源包括晶体管，所述偏置控制器控制对电流的偏压，偏压被驱动成关断所述电流源的电源电压(VDD)。

公开(公告)号：CN105490652A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510629992.9

申请日：2015-09-29

申请人： 亚德诺半导体集团

发明人： V·M·考卡尔尼

IPC分类号： H03G3/20 ,  H03F3/45

CPC分类号： H03F3/45183 ,  H03F2203/45248 ,  H03F2203/45626 ,  H03F2203/45644 ,  H03F2203/45646

摘要： 在示例性的实施方案中，提供了具有高增益和高回转速率的放大器，该放大器包括：一对输入晶体管，输入电压施加到所述一对输入晶体管上；一对二极管连接负载，其与所述输入晶体管耦合；至少一对电流源，其与所述二极管连接负载耦合；以及偏置控制器，其配置为关断所述至少一对电流源以实现所述放大器的高回转速率以及接通所述至少一对电流源以实现所述放大器的高增益。在具体的实施方案中，电流源包括晶体管，所述偏置控制器控制对电流的偏压，偏压被驱动成关断所述电流源的电源电压(VDD)。