一种多晶硅薄膜的处理方法

    公开(公告)号:CN112397382A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011287400.7

    申请日:2020-11-17

    Inventor: 孙翔

    Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的处理方法和薄膜晶体管的制作方法,该多晶硅薄膜的处理方法包括:在所述多晶硅薄膜表面沉积无机膜层,使用刻蚀粒子对所述无机膜层远离所述多晶硅薄膜一侧表面进行刻蚀,能够减小多晶硅薄膜的表面粗糙度并能够避免刻蚀粒子对多晶硅薄膜造成损伤,从而能够减小使用该多晶硅薄膜作为有源层的薄膜晶体管的漏电流,进而使得将该薄膜晶体管应用于显示装置中时,能够有效提高显示装置的显示效果。

    电子设备及其控制方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110377216B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN201910548878.1

    申请日:2019-06-24

    Inventor: 孙翔

    Abstract: 本发明提供一种电子设备及其控制方法,电子设备包括:识别模块,用于基于感应点在预设空间内的移动情况,获取所述感应点在所述预设空间内的停顿情况;控制模块,用于基于所述感应点在所述预设空间内的停顿情况,产生相应的控制指令。本发明电子设备能够将感应点的停顿情况转化为控制指令,有利于改善人机交互体验。

    一种多晶硅薄膜的处理方法

    公开(公告)号:CN112397382B

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202011287400.7

    申请日:2020-11-17

    Inventor: 孙翔

    Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的处理方法和薄膜晶体管的制作方法,该多晶硅薄膜的处理方法包括:在所述多晶硅薄膜表面沉积无机膜层,使用刻蚀粒子对所述无机膜层远离所述多晶硅薄膜一侧表面进行刻蚀,能够减小多晶硅薄膜的表面粗糙度并能够避免刻蚀粒子对多晶硅薄膜造成损伤,从而能够减小使用该多晶硅薄膜作为有源层的薄膜晶体管的漏电流,进而使得将该薄膜晶体管应用于显示装置中时,能够有效提高显示装置的显示效果。

    电子设备及其控制方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110377216A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910548878.1

    申请日:2019-06-24

    Inventor: 孙翔

    Abstract: 本发明提供一种电子设备及其控制方法,电子设备包括:识别模块,用于基于感应点在预设空间内的移动情况,获取所述感应点在所述预设空间内的停顿情况;控制模块,用于基于所述感应点在所述预设空间内的停顿情况,产生相应的控制指令。本发明电子设备能够将感应点的停顿情况转化为控制指令,有利于改善人机交互体验。

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