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发明公开
一种损伤层深度和损伤层内缺陷浓度的测定方法以及执行所述方法的系统审中-实审

公开(公告)号：CN118076883A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180103092.4

申请日：2021-10-05

Applicant: 二和金刚石工业株式会社

Inventor： 崔成权 , 朴熹东

IPC: G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/956 , G01B11/22 , H01L21/12

Abstract: 本发明公开了一种决定在基板背面形成的损伤层的深度的方法。所述方法可以包括：向所述损伤层照射第一光和第二光的步骤；检测出被所述损伤层内的缺陷反射或散射的所述第一光和所述第二光的步骤；基于所述第一光的第一波长和所述第二光的第二波长，决定所述第一光的第一穿透深度和所述第二光的第二穿透深度的步骤；以及利用所述第一穿透深度和所述第二穿透深度，决定所述损伤层的深度的步骤。

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