半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法

    公开(公告)号:CN102956786A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201110454286.7

    申请日:2011-12-30

    IPC分类号: H01L33/42 H01L33/00

    CPC分类号: H01L33/42 H01L33/20

    摘要: 半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法。一种半导体发光器件,该半导体发光器件包括使用导电薄膜和绝缘薄膜形成的光透射电极层,以代替透明电极层,所述半导体发光器件包括:基板;第一半导体层,该第一半导体层形成在所述基板上;有源层,该有源层形成在所述第一半导体层上;第二半导体层,该第二半导体层形成在所述有源层上;光透射电极层,该光透射电极层形成在所述第二半导体层上,所述光透射电极层具有沉积有至少一个导电薄膜和至少一个绝缘薄膜的结构;以及第一电极,该第一电极形成在所述光透射电极层上,其中所述光透射电极层包括至少一个接触部分,以使所述至少一个导电薄膜与所述第一电极接触。

    半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法

    公开(公告)号:CN102956786B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201110454286.7

    申请日:2011-12-30

    IPC分类号: H01L33/42 H01L33/00

    CPC分类号: H01L33/42 H01L33/20

    摘要: 半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法。一种半导体发光器件,该半导体发光器件包括使用导电薄膜和绝缘薄膜形成的光透射电极层,以代替透明电极层,所述半导体发光器件包括:基板;第一半导体层,该第一半导体层形成在所述基板上;有源层,该有源层形成在所述第一半导体层上;第二半导体层,该第二半导体层形成在所述有源层上;光透射电极层,该光透射电极层形成在所述第二半导体层上,所述光透射电极层具有沉积有至少一个导电薄膜和至少一个绝缘薄膜的结构;以及第一电极,该第一电极形成在所述光透射电极层上,其中所述光透射电极层包括至少一个接触部分,以使所述至少一个导电薄膜与所述第一电极接触。

    显示装置及显示装置的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113948556A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202110794788.8

    申请日:2021-07-14

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/52

    摘要: 根据本公开的一方面,一种显示装置,其具有多个像素,每个像素包括多个子像素,该显示装置包括:第一基板;多个第一焊盘,其被设置在第一基板上、处于多个子像素中;公共焊盘,其被设置在第一基板上并由多个子像素共用;第二基板,其被设置成面对第一基板;多个第一电极,其被设置在第二基板上并被连接到多个第一焊盘;第二电极,其被设置在第二基板上并被连接到公共焊盘;和多个发光纳米棒,其具有被分别连接到多个第一电极和第二电极的一端和另一端。多个第一电极和/或第二电极包括被连接到多个发光纳米棒的多个突起。因此,可以容易地实现发光纳米棒的自对准。