公开(公告)号：CN115850779B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211539689.6

申请日：2022-12-02

Applicant: 浙江大学 ,  之江实验室

Inventor： 吕福 ,  黄玉辉 ,  吴勇军 ,  洪子健 ,  施钧辉 ,  陈睿黾

IPC: C08J7/12 ,  C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明公开了一种具有微纳阵列结构的聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)铁电薄膜的制备方法：(1)将聚偏氟乙烯基聚合物粉末溶解在有机溶剂中，搅拌至完全溶解，得到均匀透明溶液；(2)取步骤(1)得到的均匀透明溶液滴注在导电基底上，干燥后去除有机溶剂得到透明的聚偏氟乙烯基薄膜；(3)将步骤(2)得到的聚偏氟乙烯基薄膜进行热处理的同时在针尖上施加电场，使其击穿空气形成电晕电场，并在不同图案的导电网栅上施加电场调控电晕电场的再分布，制备得到具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜。本发明提供的制备方法的工艺简单、过程可控、成本低廉和实用性强，所制备得到的聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)具有清晰的微纳阵列结构。

公开(公告)号：CN115850779A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211539689.6

申请日：2022-12-02

Applicant: 浙江大学 ,  之江实验室

Inventor： 吕福 ,  黄玉辉 ,  吴勇军 ,  洪子健 ,  施钧辉 ,  陈睿黾

IPC: C08J7/12 ,  C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明公开了一种具有微纳阵列结构的聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)铁电薄膜的制备方法：(1)将聚偏氟乙烯基聚合物粉末溶解在有机溶剂中，搅拌至完全溶解，得到均匀透明溶液；(2)取步骤(1)得到的均匀透明溶液滴注在导电基底上，干燥后去除有机溶剂得到透明的聚偏氟乙烯基薄膜；(3)将步骤(2)得到的聚偏氟乙烯基薄膜进行热处理的同时在针尖上施加电场，使其击穿空气形成电晕电场，并在不同图案的导电网栅上施加电场调控电晕电场的再分布，制备得到具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜。本发明提供的制备方法的工艺简单、过程可控、成本低廉和实用性强，所制备得到的聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)具有清晰的微纳阵列结构。

公开(公告)号：CN112939069A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110378366.2

申请日：2021-04-08

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 黄玉辉 ,  吴勇军 ,  吕福 ,  洪子健 ,  任召辉 ,  施钧辉 ,  陈睿黾

IPC: C01G23/00 ,  C01G23/047

Abstract: 本发明公开了一种具有均匀包覆结构的钛酸钡@二氧化钛纳米粉末的制备方法，该方法首先利用葡萄糖的水热反应在钛酸钡表面包覆一层无定型碳层，由于无定型碳层含有羟基、羧基等较多的官能团，不仅有利于钛酸钡在溶液中的分散，还为二氧化钛的沉积提供了附着的位点。接着，利用钛酸四丁酯(Ti(C4H9O)4)水解制备二氧化钛包覆层。最后将制得的粉料进行煅烧，去除有机物的同时提高二氧化钛的结晶性。该方法工艺简单、效果显著，制备所得的钛酸钡@二氧化钛纳米粉末具有厚度均匀且形貌完整的二氧化钛壳层。

公开(公告)号：CN119584842A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411682511.6

申请日：2024-11-22

Applicant: 浙江大学 ,  陕西煤业化工技术研究院有限责任公司

Inventor： 吕福 ,  黄玉辉 ,  洪子健 ,  吴勇军 ,  原浩植 ,  成子巍

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/092 ,  C04B41/83

Abstract: 本发明公开了一种3‑3型压电陶瓷复合材料，包括压电陶瓷块阵列和填充在压电陶瓷块阵列间的切割缝隙并完全包覆压电陶瓷块阵列的填充相，填充相包括聚偏氟乙烯基聚合物和离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺。本发明还公开了上述3‑3型压电陶瓷复合材料的制备方法，包括：将聚偏氟乙烯基聚合物粉末溶解得到均匀透明溶液A；向A中添加1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺，混合得到均匀透明溶液B；将B滴注在压电陶瓷块阵列的表面，填充压电陶瓷块阵列间的切割缝隙并完全包覆压电陶瓷块阵列，热处理后固化，得到3‑3型压电陶瓷复合材料。本发明提供的3‑3型压电陶瓷复合材料展现出高压电性能，本发明提供的制备方法具有工艺简单和无破坏性的优点。