公开(公告)号：CN117169293B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311433819.2

申请日：2023-11-01

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王进 ,  王镝 ,  钱利滨 ,  许峰

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种MOS基气敏材料及其制备方法和应用。所述MOS基气敏材料的制备方法按照如下步骤进行：步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶；步骤2：将得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速干燥；步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中分段煅烧，得到MOS基气敏材料。本发明提供的MOS基气敏材料可用于检测挥发性有机化合物中。本发明提供的MOS基气敏材料的制备方法提高了制备的样品的均一性，同时具有高重现性、高生产效率和高普适性。

公开(公告)号：CN117169293A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311433819.2

申请日：2023-11-01

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王进 ,  王镝 ,  钱利滨 ,  许峰

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种MOS基气敏材料及其制备方法和应用。所述MOS基气敏材料的制备方法按照如下步骤进行：步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶；步骤2：将得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速干燥；步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中分段煅烧，得到MOS基气敏材料。本发明提供的MOS基气敏材料可用于检测挥发性有机化合物中。本发明提供的MOS基气敏材料的制备方法提高了制备的样品的均一性，同时具有高重现性、高生产效率和高普适性。