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公开(公告)号:CN1292886A
公开(公告)日:2001-04-25
申请号:CN99803849.0
申请日:1999-02-23
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/365 , G02F1/3555 , G02F1/3558
Abstract: 掺Ge的SiO2薄膜12形成在玻璃基质(10)上,金属膜(14)形成在上面(s11至s13)。通过蚀刻金属膜(14),形成彼此相距预定间隔的一对电极(14a,14b)(S14)。薄绝缘膜(16)形成在薄膜(12)及电极(14a,14b)上(S15)。施加紫外辐射的同时,在电极(14a,14b)之间施加高压,以便完成UV激发变换,给予通道部分(18)以光学非线性(S16)。通过控制施加到光学非线性的通道部分(18)上的电压,控制透过通道部分(18)的光。这样,在玻璃基质上形成传播单模光的光学非线性波导。
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公开(公告)号:CN1135427C
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN00806284.6
申请日:2000-02-16
IPC: G02F1/355
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/3555 , G02F1/365
Abstract: 在紫外照射下,在电极(14a,14b)之间施加电压以进行紫外光-激励的极化,由此在芯单元(10a)产生微晶颗粒。相应地,在光纤(10)的芯单元(10a)产生出二阶光学非线性。在高温条件下,当二阶光学非线性下降时,由电压相对低的紫外光-激励的极化可以赋予二阶光学非线性。
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公开(公告)号:CN1126972C
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN99803849.0
申请日:1999-02-23
CPC classification number: G02F1/365 , G02F1/3555 , G02F1/3558
Abstract: 掺Ge的SiO2薄膜12形成在玻璃基质(10)上,金属膜(14)形成在上面(S11至S13)。通过蚀刻金属膜(14),形成彼此相距预定间隔的一对电极(14a,14b)(S14)。薄绝缘膜(16)形成在薄膜(12)及电极(14a,14b)上(S15)。施加紫外辐射的同时,在电极(14a,14b)之间施加高压,以便完成UV激发变换,给予通道部分(18)以光学非线性(S16)。通过控制施加到光学非线性的通道部分(18)上的电压,控制透过通道部分(18)的光。这样,在玻璃基质上形成传播单模光的光学非线性波导。
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公开(公告)号:CN1352758A
公开(公告)日:2002-06-05
申请号:CN00806284.6
申请日:2000-02-16
IPC: G02F1/355
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/3555 , G02F1/365
Abstract: 在紫外照射下,在电极(14a,14b)之间施加电压以进行紫外光-激励的极化,由此在芯单元(10a)产生微晶颗粒。相应地,在光纤(10)的芯单元(10a)产生出二阶光学非线性。在高温条件下,当二阶光学非线性下降时,由电压相对低的紫外光-激励的极化可以赋予二阶光学非线性。
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