公开(公告)号：CN1871705A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480030738.7

申请日：2004-10-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  户岛秀树

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置(100)，包括低电位基准电路区域(1)和高电位基准电路区域(2)，且所述高电位基准电路区域(2)被高耐压隔离区域(3)包围。通过在所述高耐压隔离区域(3)的外周中形成的沟槽(4)，所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)相互隔离。此外，所述沟槽(4)用绝缘材料填满，使得所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)之间绝缘。所述高耐压隔离区域(3)被所述沟槽(4)分隔，在所述被分隔位置中提供高耐压NMOS(5)或高耐压PMOS(6)。

公开(公告)号：CN100587955C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200480030738.7

申请日：2004-10-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  户岛秀树

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置(100)，包括低电位基准电路区域(1)和高电位基准电路区域(2)，且所述高电位基准电路区域(2)被高耐压隔离区域(3)包围。通过在所述高耐压隔离区域(3)的外周中形成的沟槽(4)，所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)相互隔离。此外，所述沟槽(4)用绝缘材料填满，使得所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)之间绝缘。所述高耐压隔离区域(3)被所述沟槽(4)分隔，在所述被分隔位置中提供高耐压NMOS(5)或高耐压PMOS(6)。