公开(公告)号：CN108172508A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711192049.1

申请日：2017-11-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 吉田博之 ,  高桥一平 ,  浦上泰

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/043 ,  H01L21/042 ,  H01L21/304 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，有效地形成相对于SiC晶片的接触电阻低的硅化物层。一种半导体装置的制造方法，包括：对SiC晶片的表面进行磨削，且在露出于所述表面露出的范围形成具有5nm以上的厚度的破碎层的工序；形成将所述破碎层覆盖的金属层的工序；及通过加热来使所述金属层与所述破碎层反应，由此形成与所述SiC晶片欧姆接触的硅化物层，且被所述金属层覆盖的范围的所述破碎层的至少一部分在其厚度方向整个区域变化为硅化物层的工序。

公开(公告)号：CN108512151A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810164045.0

申请日：2018-02-27

Applicant: 矢崎总业株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 吉田博之 ,  足立英臣 ,  大下慎史 ,  川上广纪 ,  高田和昇 ,  沟渕正伦

IPC: H02G3/04 ,  H02G3/34 ,  B60R16/02

Abstract: 一种用于线束的外部部件，该外部部件形成为管状，从而容纳并且保护一个或者多个导电路径，该外部部件包括：外层结构部，该外层结构部具有外表面，并且是最外层；内层结构部，该内层结构部具有内表面，并且是最内层；以及中间层结构部，该中间层结构部是在外层结构部与内层结构部之间的一层或多层。

公开(公告)号：CN108512151B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201810164045.0

申请日：2018-02-27

Applicant: 矢崎总业株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 吉田博之 ,  足立英臣 ,  大下慎史 ,  川上广纪 ,  高田和昇 ,  沟渕正伦

IPC: H02G3/04 ,  H02G3/34 ,  B60R16/02

Abstract: 一种用于线束的外部部件，该外部部件形成为管状，从而容纳并且保护一个或者多个导电路径，该外部部件包括：外层结构部，该外层结构部具有外表面，并且是最外层；内层结构部，该内层结构部具有内表面，并且是最内层；以及中间层结构部，该中间层结构部是在外层结构部与内层结构部之间的一层或多层。