公开(公告)号：CN101241965A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810000349.X

申请日：2004-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅井诚 ,  山崎史郎 ,  小泽隆弘 ,  生川满久

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。

公开(公告)号：CN100395901C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200480012658.9

申请日：2004-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅井诚 ,  山崎史郎 ,  小泽隆弘 ,  生川满久

IPC: H01L33/00

Abstract: 由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。

公开(公告)号：CN1784790A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012658.9

申请日：2004-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅井诚 ,  山崎史郎 ,  小泽隆弘 ,  生川满久

IPC: H01L33/00

Abstract: 由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。