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公开(公告)号：CN103730551A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310469756.6
申请日：2013-10-10
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题是在采用Ⅲ族氮化物半导体输出呈现绿色的波长的光的半导体发光元件中，降低输出的光的发光波长的分布，使单色性提高。半导体发光元件（1）具备：含有n型杂质（Si）的n型覆盖层（142）、在n型覆盖层（142）上层叠的发光层（150）、包含含有p型杂质（Mg）并且在发光层（150）上层叠的p型覆盖层（161）的p型半导体层（160）。发光层（150）具备第1势垒层（1511）～第5势垒层（1515）、和第1阱层（1521）～第5阱层（1524），具有由2个势垒层夹持1个阱层的多量子阱结构。并且，p型覆盖层（161）的厚度设定为第1阱层（1521）～第4阱层（1524）的每一层的厚度的3倍以下。
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公开(公告)号：CN103594577A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310347775.1
申请日：2013-08-12
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件（1），具有：含有n型杂质（Si）的n型覆盖层（142）；层叠在n型覆盖层（142）上的发光层（150）；和含有p型杂质且层叠在发光层（150）上的p型覆盖层（161）。发光层（150）具有多量子阱结构，所述多量子阱结构具备第1势垒层（1511）～第5势垒层（1515）和第1阱层（1521）～第4阱层（1524），且由两个势垒层夹持一个阱层。在发光层（150）中设为下述构成：以输出绿色光的组成设定第1阱层（1521）～第4阱层（1524），在第1势垒层（1511）中掺杂n型杂质，在第2势垒层（1512）～第5势垒层（1515）中不掺杂n型杂质。
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公开(公告)号：CN103972337A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410028811.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/24
Abstract: 本发明提供具有良好的发光特性的使用了III族氮化物半导体的半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具有：层叠在基板上的n型半导体层；发光层，由势垒层以及包含In原子的阱层交替层叠了多个的多重量子阱构造构成；和p型半导体层，发光层具有：3层以上的阱层；和4层以上的势垒层，从两侧夹入3层以上的阱层的各自，并且在与n型半导体层的边界部与n型半导体层连接且在与p型半导体层的边界部与p型半导体层连接，3层以上的阱层包含以从接近所述n型半导体层的一侧按顺序设置的多个n侧阱层、和接近p型半导体层一侧的一个p侧阱层，在发光层产生由向p型半导体层侧开口的凹部的斜面构成的V字状凹部，至少1层以上的n侧阱层的该斜面的In原子的浓度为在该n侧阱层内存在的In原子的浓度的50％以下。
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公开(公告)号：CN103972337B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410028811.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/24
Abstract: 本发明提供具有良好的发光特性的使用了III族氮化物半导体的半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具有：层叠在基板上的n型半导体层；发光层，由势垒层以及包含In原子的阱层交替层叠了多个的多重量子阱构造构成；和p型半导体层，发光层具有：3层以上的阱层；和4层以上的势垒层，从两侧夹入3层以上的阱层的各自，并且在与n型半导体层的边界部与n型半导体层连接且在与p型半导体层的边界部与p型半导体层连接，3层以上的阱层包含以从接近所述n型半导体层的一侧按顺序设置的多个n侧阱层、和接近p型半导体层一侧的一个p侧阱层，在发光层产生由向p型半导体层侧开口的凹部的斜面构成的V字状凹部，至少1层以上的n侧阱层的该斜面的In原子的浓度为在该n侧阱层内存在的In原子的浓度的50％以下。
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