一种用于DPFC子单元的试验电路、试验方法、设备及介质

    公开(公告)号:CN117055514A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310369100.0

    申请日:2023-04-07

    Abstract: 本发明提供了一种用于DPFC子单元的试验电路、试验方法、设备及介质,包括:电源电路、整流电路、逆变全桥电路和电抗器;所述整流电路的输入端与所述电源电路的输出端连接,输出端于所述逆变全桥电路的输入端连接;所述逆变全桥电路的其中一输出端通过所述电抗器连接于所述DPFC的电流采样电路端,另一输出端连接于过电压保护避雷器端,用于将所述整流电路输出的方波电压转换成正弦电流波,对所述DPFC子单元进行基本功能试验。本发明通过电源电路、整流电路、逆变全桥电路和电抗器成功了模拟输电线路的恒流特性,适用于检测DPFC子单元的各项功能和性能参数,克服了现有大功率电力电子装置只产生相对稳定的恒压源,而不适用对DPFC子单元的问题。

    一种功率管的驱动电路和电子设备

    公开(公告)号:CN119483562A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411369841.X

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本申请提供了一种功率管的驱动电路和电子设备。驱动电路通过隔离放大电路对控制信号进行放大并输出第一驱动信号和第二驱动信号,推挽放大电路用于根据第一驱动信号输出第三驱动信号,根据第二驱动信号输出第四驱动信号,根据第三驱动信号或第四驱动信号输出驱动电压给功率管。可以看出,本申请通过第一驱动信号和第二驱动信号这两路驱动信号可以提高驱动电压的等级,能够满足电子设备高导通电流(10倍或以上IGBT额定电流)的需求。本申请通过串联的第一驱动单元和第二驱动单元可以提高功率管的驱动电压,增强驱动电路抗干扰能力的同时,可以增大功率管的通流能力,降低功率管的开关损耗和成本。

    一种IGBT模块电气参数在线测量装置和方法

    公开(公告)号:CN111812476A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010303353.4

    申请日:2020-04-17

    Abstract: 本发明提供一种IGBT模块电气参数在线测量装置和方法,装置包括中断控制单元、微控制单元和模数转换单元,微控制单元包括微处理单元和第一定时单元,本发明未使用FPGA,大大降低了硬件成本,同时减小了在线测量装置的功耗和电路板面积,便于集成。本发明基于第一中断信号实现IGBT模块开通或关断的瞬态过程内电气参数的高速采样,通过第二中断信号实现在IGBT模块导通或关断的稳态过程内电气参数的低速采样,同时实现了IGBT模块导通或关断的高低速采样,采样脉冲的频率范围宽,且大幅降低电气参数采样的数据量,对电力电子设备器件级的故障诊断、结温在线预估、老化健康指标监测提供了数据基础。

    基于磁流体与光栅的新型光学电流传感器、系统及方法

    公开(公告)号:CN111736001A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010537200.6

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明提供一种基于磁流体与光栅的新型光学电流传感器、系统及方法。该电流传感器包括:毛细管、长周期光纤光栅和光纤布拉格光栅;所述毛细管内填充磁流体,所述毛细管的两端端口通过胶体进行密封;所述长周期光纤光栅的栅区和所述光纤布拉格光栅的栅区并排分布在所述毛细管内中部,所述长周期光纤光栅和所述光纤布拉格光栅的两端均伸出毛细管外。本发明基于磁流体的磁控折射率特性得到的磁流体折射率与磁场之间的关系,以及通过研究LPFG的环境折射率敏感特性而得到的LPFG谐振波长的变化与外部介质折射率之间的关系,将LPFG与磁流体相结合,设计的传感器安全绝缘、制作工艺简单、测量精确且灵敏度高。

    一种适用于直流配网的紧凑型电压源换流器系统

    公开(公告)号:CN111162554B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN201911363603.7

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种适用于直流配网的紧凑型电压源换流器系统,包括多个二电平子模块、多个LC滤波器、多绕组变压器、主控装置和多个从控装置;每个二电平子模块的交流侧均通过一个LC滤波器连接到多绕组变压器的低压侧绕组,所述多绕组变压器的高压侧绕组连接外部交流系统;二电平子模块的直流侧串联接入正极直流母线和负极直流母线之间;每个从控装置连接一个二电平子模块,主控装置连接所有从控装置;降低了成本,大大减少了占地面积,集成度高且维护难度小,电路简单,使用器件数目少,且结构紧凑,损耗低,功率传输效率高,本发明中的主控装置采用控制和保护结合,取消阀控的紧凑式主从架构的控制保护架构,具有紧凑性和经济性。

    一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构

    公开(公告)号:CN116846377A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310864701.9

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构,属于电力电子技术领域。将传统级联二极管桥改为直串器件的二极管桥,分布式电容器改为集总式电容器,普通避雷器改为间隙/晶闸管‑避雷器,使得用于断路器的级联半导体开关模块的总电感大大降低,解决了目前级联半导体开关大电流关断过程中由于回路杂散电感大而引起的高关断电压对电力电子器件构成高瞬态功率冲击的问题;IGBT压装结构中相邻IGBT的集电极与发射极共用IGBT共用导电板,提高了半导体开关电压利用率的同时,省去了大部分单元内部和单元与单元之间的电气连接线,减少了回路面积,从而使得级联半导体开关模块的结构更加紧凑,空间占用少,且成本降低。

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