公开(公告)号：CN101263634A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033995.5

申请日：2006-09-05

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 手岛卓也 ,  久保田能德

IPC: H01S3/06 ,  H01S3/094

CPC classification number: H01S3/094003 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/094053

Abstract: 一种光纤激光装置，包括：激励光源，添加稀土元素的光纤，谐振器，和激励光源保护装置，该激励光源保护装置安排在激励光源与谐振器之间，但是没有隔离器功能，用于防止谐振器产生的激光进入激励光源。

公开(公告)号：CN104136447A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010463.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 手岛卓也 ,  柴山茂朗 ,  中村阳介 ,  平冈知之

IPC: C07F7/20 ,  C07F7/08

CPC classification number: C07F7/20 ,  C07F7/0896

Abstract: 本发明公开了一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于前述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了前述(2)的工序的活性碳，吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。通过该方法，可以抑制活性碳的发热，高效地去除二甲基硅烷等杂质。

公开(公告)号：CN104136447B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201380010463.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 手岛卓也 ,  柴山茂朗 ,  中村阳介 ,  平冈知之

IPC: C07F7/20 ,  C07F7/08

CPC classification number: C07F7/20 ,  C07F7/0896

Abstract: 本发明公开了一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于前述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了前述(2)的工序的活性碳，吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。通过该方法，可以抑制活性碳的发热，高效地去除二甲基硅烷等杂质。