公开(公告)号：CN105393342B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480041087.5

申请日：2014-07-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小森谷治彦 ,  照井贵阳 ,  小林史人 ,  原由香里 ,  原育成

IPC: H01L21/47 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L51/56 ,  C08F232/04 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C09D5/00 ,  C09D7/20 ,  C09D127/12 ,  C09D129/10 ,  C09D145/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  H01L27/3241 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5012 ,  C08F216/14

Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有式(1)表示的重复单元和通式(2)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的烃基，烃基中的氢原子的至少1个可以被氟原子或氯原子取代，也可以具有羟基。)该组合物能够在有机半导体膜上形成氟树脂膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。

公开(公告)号：CN105393342A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480041087.5

申请日：2014-07-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小森谷治彦 ,  照井贵阳 ,  小林史人 ,  原由香里 ,  原育成

IPC: H01L21/47 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L51/56 ,  C08F232/04 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C09D5/00 ,  C09D7/20 ,  C09D127/12 ,  C09D129/10 ,  C09D145/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  H01L27/3241 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5012 ,  C08F216/14

Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有式(1)表示的重复单元和通式(2)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的烃基，烃基中的氢原子的至少1个可以被氟原子或氯原子取代，也可以具有羟基。)该组合物能够在有机半导体膜上形成氟树脂膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。

公开(公告)号：CN105393341B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201480041085.6

申请日：2014-07-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 照井贵阳 ,  小森谷治彦 ,  小林史人 ,  原由香里 ,  原育成

IPC: H01L21/47 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L51/0018 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C09D133/16 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R2各自独立地为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的含氟烃基，烃基中的氢原子可以被氟原子取代，重复单元中包含至少1个氟原子。)该组合物能够在有机半导体膜上形成膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。

公开(公告)号：CN105393341A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480041085.6

申请日：2014-07-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 照井贵阳 ,  小森谷治彦 ,  小林史人 ,  原由香里 ,  原育成

IPC: H01L21/47 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L51/0018 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C09D133/16 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R2各自独立地为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的含氟烃基，烃基中的氢原子可以被氟原子取代，重复单元中包含至少1个氟原子。)该组合物能够在有机半导体膜上形成膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。