公开(公告)号：CN101621106B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200910101320.5

申请日：2009-07-30

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 王乐 ,  金尚忠 ,  李晓艳 ,  袁坤

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及发光二极管领域，旨在提供一种具有增透效应薄膜的发光二极管，包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线，LED发光芯片置于反光碗内，LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内；所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜；LED发光芯片、电介质氧化物增透薄膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2，Sub1为LED发光芯片的半导体材料，Sub2为封装胶体，L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料，H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料，2n为膜层总数，n＝1-60；L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。

公开(公告)号：CN101621106A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910101320.5

申请日：2009-07-30

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 王乐 ,  金尚忠 ,  李晓艳 ,  袁坤

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及发光二极管领域，旨在提供一种具有增透效应薄膜的发光二极管，包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线，LED发光芯片置于反光碗内，LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内；所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜；LED发光芯片、电介质氧化物增透薄膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2，Sub1为LED发光芯片的半导体材料，Sub2为封装胶体，L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料，H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料，2n为膜层总数，n＝1-60；L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。