-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103406546B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310321978.3
申请日：2013-07-23
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 一种制备花状金纳米粒子的方法，该方法采用球形金纳米粒子种子溶液和氯金酸以及还原剂和具有表面修饰作用的保护剂作为反应试剂。在20℃～40℃下，取1ml～10ml的球形金纳米粒子种子溶液加入到10ml～30ml去离子水中，快速搅拌；加入一定量的氯金酸溶液，然后加入还原剂溶液；持续搅拌一段时间后停止搅拌，得到金溶胶溶液；在金溶胶溶液中加入保护剂溶液；操作此过程一次或连续重复操作此过程2～4次，且在多次重复过程中，每次的种子溶液均为其前一步得到的金溶胶溶液，最终得到花状金纳米粒子。相较于现有技术，本发明利用还原反应还原氯金酸制备花状金纳米粒子，不需要借助特殊设备，也无需高温环境，操作简单。
-
公开(公告)号：CN103406546A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310321978.3
申请日：2013-07-23
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 一种制备花状金纳米粒子的方法，该方法采用球形金纳米粒子种子溶液和氯金酸以及还原剂和具有表面修饰作用的保护剂作为反应试剂。在20℃～40℃下，取1ml～10ml的球形金纳米粒子种子溶液加入到10ml～30ml去离子水中，快速搅拌；加入一定量的氯金酸溶液，然后加入还原剂溶液；持续搅拌一段时间后停止搅拌，得到金溶胶溶液；在金溶胶溶液中加入保护剂溶液；操作此过程一次或连续重复操作此过程2～4次，且在多次重复过程中，每次的种子溶液均为其前一步得到的金溶胶溶液，最终得到花状金纳米粒子。相较于现有技术，本发明利用还原反应还原氯金酸制备花状金纳米粒子，不需要借助特殊设备，也无需高温环境，操作简单。
-
公开(公告)号：CN203365328U
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201320444339.1
申请日：2013-07-22
Applicant: 中国计量学院
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种用于流动液体拉曼信号检测的SERS衬底，主要由管状SERS基底，修饰层，纳米粒子层组成。纳米粒子层中金属纳米粒子利用NaSiO3溶液的化学反应使其表面包裹一层SiO2壳，形成核壳结构的纳米粒子层；修饰层附着在SERS基底之上，金属纳米粒子核由于修饰层的胶联作用，组装在修饰层上，特定溶液清洗检测过样品的SERS衬底后，SERS衬底还可重复利用。该衬底具有结构简单、可重复使用、稳定性好、样品选择范围广的特点。
-
公开(公告)号：CN203324194U
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201320409714.9
申请日：2013-07-09
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 本实用新型公开了一种可重复利用的SERS衬底，主要由SERS基底，修饰层，纳米粒子结构层组成；纳米粒子结构层由金属纳米粒子利用NaSiO3溶液的化学反应使其表面包裹一层SiO2壳而形成；修饰层附着在SERS基底之上，金属纳米粒子核由于修饰层的胶联作用，组装在修饰层上，经特定溶液清洗之后的已用SERS衬底还可重复使用。该SERS衬底实现了可重复使用且稳定性好、精度高。
-
公开(公告)号：CN203406317U
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201320409751.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 中国计量学院
IPC: H01L33/06
Abstract: 本实用新型公开了一种高发光效率的GaN基LED芯片，主要由异质衬底层、n-GaN层、量子阱层、p-GaN层和金属纳米粒层组成；n-GaN层、量子阱层和p-GaN层构成核心芯片，核心芯片位于异质衬底层上，核心芯片最底层为n-GaN层，n-GaN层上为量子阱层，量子阱层上为由金属纳米粒子层和p-GaN层组成的复合层。该芯片提高了LED芯片发光效率，且结构简单，易于制备。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.018 seconds)
