公开(公告)号：CN102464972B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201010536509.X

申请日：2010-11-09

申请人： 中国计量学院

发明人： 张朋越 ,  葛洪良 ,  彭晓领 ,  洪波 ,  杨杭福 ,  刘婷婷

IPC分类号： C09K5/14 ,  H01F1/053

摘要： 本发明公开了一种具有高磁熵变的磁制冷材料化合物及其制备方法。本发明的磁制冷材料化合物的化学组成式为(La0.7Ca0.2Tm0.1)Mn1-xMxO3，所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质，Ca和Tm为基质组元离子，M为点缺陷控制的辅助掺杂离子，其中0＜x≤0.1，并且所述化合物在5T磁场下的最大磁熵变大于等于5.0J/kg.K。本发明采用不同价态离子掺杂和气氛处理来调控点缺陷，通过控制晶体结构中电子输运和离子间自旋电子耦合效应来提高其磁滞冷性能，获得了高居里转变点和良好材料使用性能，使化合物的磁商变值提高约一个数量级，并且具有材料稳定性高、无毒副作用、操作工艺简单、成本低等特点。

公开(公告)号：CN102559147A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010591250.9

申请日：2010-12-16

申请人： 中国计量学院

发明人： 张朋越 ,  葛洪良 ,  杨杭福 ,  吴琼

IPC分类号： C09K5/08

摘要： 本发明公开了一种纳米晶磁制冷复合材料化合物及其制备方法。本发明的纳米晶磁制冷复合材料化合物的化学组成式为GdCo2-(La0.7CaxTb0.3-x)MnO3，所述化合物具有以GdCo2金属合金为核心并以(La0.7CaxTb0.3-x)MnO3结构体系为壳层的核壳结构，其中Ca、Tb为辅助掺杂离子，0≤x≤0.3。本发明采用球磨法和水热合成法来调控纳米晶材料体系的点缺陷，控制晶体结构中电子输运效应来提高其磁滞冷性能，获得了较好使用性能，提高化合物的磁熵变值，同时钙钛铁矿结构有良好的稳定性、操作工艺简单和成本低等特点。

公开(公告)号：CN102464972A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010536509.X

申请日：2010-11-09

申请人： 中国计量学院

发明人： 张朋越 ,  葛洪良 ,  彭晓领 ,  洪波 ,  杨杭福 ,  刘婷婷

IPC分类号： C09K5/14 ,  H01F1/053

摘要： 本发明公开了一种具有高磁熵变的磁制冷材料化合物及其制备方法。本发明的磁制冷材料化合物的化学组成式为(La0.7Ca0.2Tm0.1)Mn1-xMxO3，所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质，Ca和Tm为基质组元离子，M为点缺陷控制的辅助掺杂离子，其中0＜x≤0.1，并且所述化合物在5T磁场下的最大磁熵变大于等于5.0J/kg.K。本发明采用不同价态离子掺杂和气氛处理来调控点缺陷，通过控制晶体结构中电子输运和离子间自旋电子耦合效应来提高其磁滞冷性能，获得了高居里转变点和良好材料使用性能，使化合物的磁商变值提高约一个数量级，并且具有材料稳定性高、无毒副作用、操作工艺简单、成本低等特点。

公开(公告)号：CN102127396B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201110026491.3

申请日：2011-01-25

申请人： 中国计量学院

发明人： 张朋越 ,  葛洪良 ,  崔玉健 ,  杨杭福 ,  宫杰 ,  陈侃 ,  刘婷婷

IPC分类号： C09K5/02

摘要： 本发明公开了一种高压制备磁致冷材料化合物及其制备方法。本发明的高压制备磁致冷材料化合物的化学组成式为La0.5Pr0.1Ca0.4(GaxInyMnz)O3。所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质，镓Ga和铟In为点缺陷控制的辅助掺杂离子，原料中选取一种或两种。Ca、La和Pr为基质组元离子。本发明主要采用原位高压烧结工艺法来调控化合物材料体系的点缺陷，控制晶体结构的键长和键角以及电子输运效应来提高其磁滞冷性能，获得较好使用性能，提高化合物的磁熵变值，同时钙钛矿结构有良好的材料稳定性、无毒副作用、成本低的特点。

公开(公告)号：CN102559147B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010591250.9

申请日：2010-12-16

申请人： 中国计量学院

发明人： 张朋越 ,  葛洪良 ,  杨杭福 ,  吴琼

IPC分类号： C09K5/08

摘要： 本发明公开了一种纳米晶磁制冷复合材料化合物及其制备方法。本发明的纳米晶磁制冷复合材料化合物的化学组成式为GdCo2-(La0.7CaxTb0.3-x)MnO3，所述化合物具有以GdCo2金属合金为核心并以(La0.7CaxTb0.3-x)MnO3结构体系为壳层的核壳结构，其中Ca、Tb为辅助掺杂离子，0≤x≤0.3。本发明采用球磨法和水热合成法来调控纳米晶材料体系的点缺陷，控制晶体结构中电子输运效应来提高其磁滞冷性能，获得了较好使用性能，提高化合物的磁熵变值，同时钙钛铁矿结构有良好的稳定性、操作工艺简单和成本低等特点。

公开(公告)号：CN102610346B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201110393071.9

申请日：2011-12-01

申请人： 中国计量学院

发明人： 刘婷婷 ,  张朋越 ,  杨杭福 ,  葛洪良

IPC分类号： H01F1/01 ,  H01F41/02 ,  C22C38/06 ,  C22C33/02

摘要： 本发明提供一种新型无稀土纳米复合永磁材料，所述永磁材料的合金配方组成式为 Mn1.08(AlxBi1-x)/α-Fe，其中摩尔分数x满足0.2

公开(公告)号：CN102610346A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110393071.9

申请日：2011-12-01

申请人： 中国计量学院

发明人： 刘婷婷 ,  张朋越 ,  杨杭福 ,  葛洪良

IPC分类号： H01F1/01 ,  H01F41/02 ,  C22C38/06 ,  C22C33/02

摘要： 本发明提供一种新型无稀土纳米复合永磁材料，所述永磁材料的合金配方组成式为Mn1.08(AlxBi1-x)/α-Fe，其中摩尔分数x满足0.2

公开(公告)号：CN102127396A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110026491.3

申请日：2011-01-25

申请人： 中国计量学院

发明人： 张朋越 ,  葛洪良 ,  崔玉健 ,  杨杭福 ,  宫杰 ,  陈侃 ,  刘婷婷

IPC分类号： C09K5/02

摘要： 本发明公开了一种高压制备磁致冷材料化合物及其制备方法。本发明的高压制备磁致冷材料化合物的化学组成式为La0.5Pr0.1Ca0.4(GaxInyMnz)O3。所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质，镓Ga和铟In为点缺陷控制的辅助掺杂离子，原料中选取一种或两种。Ca、La和Pr为基质组元离子。本发明主要采用原位高压烧结工艺法来调控化合物材料体系的点缺陷，控制晶体结构的键长和键角以及电子输运效应来提高其磁滞冷性能，获得较好使用性能，提高化合物的磁熵变值，同时钙钛矿结构有良好的材料稳定性、无毒副作用、成本低的特点。