公开(公告)号：CN109742254A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910178309.2

申请日：2019-03-11

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  柏沁园 ,  刘祖刚 ,  赵红 ,  韦一 ,  王玉龙 ,  杨媚

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

Abstract: 本专利是一种高效率的OLED微显示器件及制造方法。所述OLED器件包括阴极、电子注入层EIL、电子传输层ELT、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、薄膜封装层；其中所述空穴注入层HIL为氧化石墨烯，阳极材料采用有机酸处理，使得OLED微显示器件的发光效率和稳定性得到提高，OLED与CMOS工艺的结合，简化了制作流程、降低了成本、改善了性能。

公开(公告)号：CN109830211A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910178386.8

申请日：2019-03-11

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  王玉龙 ,  刘祖刚 ,  赵红 ,  韦一 ,  柏沁园 ,  杨媚

IPC: G09G3/3208

Abstract: 本发明涉及一种改进的像素驱动电路方案。用于有机发光二极管（OLED）微显示器设计的转换速率增强电路。由于OLED微显示器的基本像素单元面积只有几百平方微米，因此，像素电路的驱动电流只有数百皮安到数十纳安。当灰度非常低时，提出了采用转换速率增强电路插入原电路中，此时内置参考电压的电路电流很小，易受到开关晶体管的噪声影响，需要在参考电压与M1开关晶体管之间添加一个隔离器，隔绝开关晶体管产生的噪声。这种改进有助于实现OLED在亮度接近最暗的水平时具有更好的显示效果。

公开(公告)号：CN109755288A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910178410.8

申请日：2019-03-11

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  杨媚 ,  刘祖刚 ,  韦一 ,  赵红 ,  王玉龙 ,  柏沁园

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提出了一种显示质量较高，产品体积小以及应用场景广泛的带有反射隔离层的SOI基底OLED微显示器件，包括玻璃盖片，彩色光阻，封装薄膜层，透明阴极，OLED发光层，像素阳极，反射隔离层、SOI基底、二氧化硅氧化层。反射隔离层采用Cu金属使用电镀的方法生长在像素阳极的间隙处，反射隔离层被一层二氧化硅氧化层包裹。

公开(公告)号：CN109785795A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910178478.6

申请日：2019-03-11

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 唐莹 ,  杨媚 ,  刘祖刚 ,  韦一 ,  赵红 ,  王玉龙 ,  柏沁园

IPC: G09G3/3225

Abstract: 本发明提出了一种能提高OLED微显示器件的显示质量，应用场景广泛的采用LDD结构的硅基OLED微显示器件驱动电路，包括OLED二极管，反相器，开关，存储电容，反相器中的CMOS器件采用LDD结构，与存储电容和OLED二极管相连。