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公开(公告)号：CN116836703A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310208650.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜，其中，方法包括步骤：将胶体量子点制备成一层或多层量子点薄膜，成膜后量子点薄膜中的溶剂挥发，形成只有量子点的量子点薄膜；将量子点薄膜将量子点薄膜放入极性质子溶剂气氛的腔体中；热处理一定时间，从而得到具有抗溶剂性的量子点薄膜。发明的耗时短，操作简单，调节要求低，对反应物无特殊要求，而且不会产生新物质。另外，本发明制备的量子点薄膜其光学及电学性质没有变化，能够扩大溶液法的应用和选材范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116836703B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202310208650.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜，其中，方法包括步骤：将胶体量子点制备成一层或多层量子点薄膜，成膜后量子点薄膜中的溶剂挥发，形成只有量子点的量子点薄膜；将量子点薄膜将量子点薄膜放入极性质子溶剂气氛的腔体中；热处理一定时间，从而得到具有抗溶剂性的量子点薄膜。发明的耗时短，操作简单，调节要求低，对反应物无特殊要求，而且不会产生新物质。另外，本发明制备的量子点薄膜其光学及电学性质没有变化，能够扩大溶液法的应用和选材范围。
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公开(公告)号：CN114613929A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210219590.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，上述器件结构从下到上依次为ITO层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属电极，量子点发光层经过特殊处理能够使得整体器件的各项性能得到极大的提升，且这种处理方式操作便捷，方法简单，利于推广。
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公开(公告)号：CN114597321A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210214350.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法。上述无铅金属卤化物发光二极管从下到上依次为：ITO层、修饰的空穴注入层、无铅金属卤化物发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的空穴注入层是通过聚苯乙烯磺酸钠（Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)，PSSNa）水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成的。该修饰材料，能够减少空穴注入，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰空穴注入层的无铅金属卤化物发光二极管，性能显著提升。
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公开(公告)号：CN115716655A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211516880.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种用氧化锌掺杂金属离子的溶胶凝胶法制备的薄膜以改善钙钛矿结晶性的方法，包括以下步骤：将醋酸锌和含金属离子的盐溶剂在极性溶剂中，然后加入乙醇胺，得到的前驱体搅拌反应，得到所述的氧化锌溶胶凝胶。该氧化锌溶胶凝胶中掺杂的金属离子能够显著提升表面羧基含量，这样在旋涂过程中，钙钛矿中的游离甲脒离子能与羧基反应形成一个富含氨基的表面，显著提高钙钛矿在此表面的结晶性，实现高效率发光，此种方法适用于多种钙钛矿。
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公开(公告)号：CN114665051A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210214127.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种调控发光层的钙钛矿发光二极管制备方法，上述钙钛矿发光二极管结构从下到上依次为ITO层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极，上述钙钛矿发光层是经过路易斯碱钠盐掺杂的。路易斯碱钠盐掺杂能够改善发光层光致发光性能，操作方便，成本低廉，应用广泛，经过路易斯碱钠盐掺杂的钙钛矿发光二极管操作稳定性明显增强，亮度和外量子效率同时提高。
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