一种基于消色差的多层框架结构的超表面隐身器

    公开(公告)号:CN114221134A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111550465.0

    申请日:2021-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于消色差的多层框架结构的超表面隐身器,包括框架区和隐身区;框架区为菱形框架;隐身区的隐身层从下向上分别为第Ⅰ、第Ⅱ和第Ⅲ层超表面,隐身层与菱形框架的底面垂直,第Ⅰ层超表面切于框架的下棱;第Ⅲ层超表面切于框架的上棱;第Ⅱ层超表面位于棱形框架的两侧与菱形框架中间的棱相接;在框架区两侧的隐身层相位梯度相反;第I、Ⅲ层超表面的结构相同;晶格单元结构在每一层的隐身层上排列以使每一层的隐身层在垂直于入射波方向上的相位梯度dφ/dx满足线性色散dφ/dω满足本发明结构简单,体积微小,易于加工与集成;材料制作成本低廉,有利于广泛的应用;为实现消色差隐身开辟了新的道路。

    一种全硅介质编码超表面的太赫兹波前散射角度调制器

    公开(公告)号:CN114035390A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111542252.3

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 本发明公开了全硅介质编码超表面的太赫兹波前散射角度调制器,包括全硅单元结构,全硅单元结构包括基体,基体为底面是正方形的长方体;从基体的底面中心为中心轴、以r为半径向外旋转挖空使全硅单元结构的透射相位分别为0°、90°、180°和270°;若干全硅单元结构形成基本编码序列;基本编码序列沿X方向以周期T1排列,沿Y方向以周期T2排列;基本编码序列的排列使全硅单元结构在XY平面上以N×N的方式排列。本发明为圆孔型的超表面结构,结构简单,体积微小,易于加工与集成。本发明为非金属硅材料,成本低廉,有利于广泛的应用。本发明使用全硅介质超表面结构,介质层超薄,损耗比金属介质结构更低,极大的推进了全硅介质超表面的实用化进程。

    一种基于消色差的多层框架结构的斜入射超表面隐身器

    公开(公告)号:CN114721072B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202210481884.1

    申请日:2022-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于消色差的多层框架结构的斜入射超表面隐身器,由框架区和隐身层组成;框架区为菱形框架所组成的空间;隐身层从下到上分别为第Ⅰ层超表面,第Ⅱ层超表面和第Ⅲ层超表面;第Ⅰ层超表面位于菱形框架的左侧且与菱形框架的下棱相切,所述第Ⅱ层超表面位于菱形框架的两侧且与菱形框架的侧棱相切,第Ⅲ层超表面位于菱形框架的右侧且与菱形框架的上棱相切;单元结构在隐身层上排列以使在平行于隐身层的方向上相位梯度dφ/dx等于线性色散dφ/df等于本发明具有体积小、易加工

    一种基于消色差的多层框架结构的斜入射超表面隐身器

    公开(公告)号:CN114721072A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210481884.1

    申请日:2022-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于消色差的多层框架结构的斜入射超表面隐身器,由框架区和隐身层组成;框架区为菱形框架所组成的空间;隐身层从下到上分别为第Ⅰ层超表面,第Ⅱ层超表面和第Ⅲ层超表面;第Ⅰ层超表面位于菱形框架的左侧且与菱形框架的下棱相切,所述第Ⅱ层超表面位于菱形框架的两侧且与菱形框架的侧棱相切,第Ⅲ层超表面位于菱形框架的右侧且与菱形框架的上棱相切;单元结构在隐身层上排列以使在平行于隐身层的方向上相位梯度dφ/dx等于线性色散dφ/df等于本发明具有体积小、易加工的优势,设计的方法以及隐身结构,为消色差隐身超表面的发展奠定了基础,在雷达、完美透镜和幻觉光学等领域都有良好的应用前景。

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